MOSFET al carburo di silicio 650 V G2 CoolSiC™

I MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 650 V G2 di Infineon Technologies sfruttano le capacità delle prestazioni del carburo di silicio consentendo una minore perdita di energia che si traduce in una maggiore efficienza durante la conversione di potenza. I MOSFET Infineon CoolSiC 650 V G2 offrono vantaggi per varie applicazioni dei semiconduttori quali il fotovoltaico, la conservazione di energia CC EV, la carica di azionamenti motori e gli alimentatori industriali. Una stazione di ricarica rapida CC per veicoli elettrici dotata di CoolSiC G2 consente una perdita di potenza fino al 10% in meno rispetto alle generazioni precedenti, consentendo al contempo una maggiore capacità di ricarica senza compromettere i fattori di forma.

Risultati: 53
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1.920A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Scheda dati
256A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Scheda dati
738A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Scheda dati
280A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Scheda dati
416A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
788A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
901A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
489A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Scheda dati
909A magazzino
1.80010/12/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
826A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT HDSOP-16 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
535A magazzino
2.00024/12/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1.792A magazzino
2.00005/08/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
858A magazzino
2.00002/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 911A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
1.968A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2
Scheda dati
1.658A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Scheda dati
221A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Scheda dati
538A magazzino
24028/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Scheda dati
962A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
486A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
10.336A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
994A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
9A magazzino
3.000In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
21A magazzino
2.00015/07/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
39A magazzino
4.00001/04/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement