IXYS IGBT GenX4™ XPT™ Trench da 650 V a 1.200 V
IXYS trench 650 V a 1.200 V Gli IGBT XPT™ GenX4™ sono sviluppati utilizzando un wafer sottile proprietario XPT tecnologia e un processo all'avanguardia di quarta generazione (GenX4™) IGBT trench. Questi transistor bipolari a gate isolato presentano una resistenza termica ridotta, basse perdite energetiche, commutazione veloce, bassa corrente di coda e alte densità di corrente. I dispositivi presentano un'eccezionale robustezza durante la commutazione e in condizioni di cortocircuito.
Questi IGBT forati passanti offrono inoltre aree operative di sicurezza in bias inverso (RBSOA) quadrate fino alla tensione di breakdown di 1200V, rendendole ideali per applicazioni di commutazione fissa senza snubber. L'IGBT a bassa Vsat ultra fornisce fino a 5 kHz commutazione. Gli IGBT a trincea IXYS XPT di quarta generazione presentano un coefficiente di temperatura della tensione collettore-emettitore positivo. Questo permette ai progettisti di utilizzare più dispositivi in parallelo per soddisfare elevati requisiti di corrente e gestire basse cariche di gate. Ciò contribuisce a ridurre le esigenze di pilotaggio del gate e le perdite di commutazione.
Applicazioni tipiche includono caricabatterie, reattori di lampade, azionamenti di motori, inverter di potenza, correzione del fattore di potenza (PFC) circuiti, modalità di commutazione alimentatori (SMPS), Gruppo statico di continuità (UPS) e saldatrici.
Caratteristiche
- Sviluppato utilizzando l'esclusivo thin-wafer XPT tecnologia e il processo all'avanguardia di quarta generazione (GenX4™) IGBT trench
- Basse tensioni di stato - VCE(sat)
- Commutazione fino a 5 kHz
- Coefficiente termico positivo di VCE(sat)
- Ottimizzato per la commutazione ad alta velocità (fino a 60 kHz)
- Capacità di cortocircuito (10 µs)
- RBSOA quadrato
- Diodi anti-paralleli ultrarapidi (Sonic-FRD™)
- Capacità di hard-switching
- Densità di potenza elevata
- Stabilità di temperatura del diodo a tensione diretta VF
- Requisiti gate drive bassi
- Package di standard internazionali
Applicazioni
- Caricabatterie
- Reattori per lampade
- Unità di azionamento motore
- Inverter di alimentazione
- Circuiti PFC
- SMPS
- UPS
- Saldatrici
Specifiche
- Comune
- 1.200 V VCES
- 20 A IC110
- IXYA20N120A4HV
- ≤1,9V VCE(sat)
- 160 ns tfi(typ)
- IXYA20N120B4HV
- ≤2,1V VCE(sat)
- 90 ns tfi(typ)
- IXYA20N120C4HV
- ≤2,5 VCE(sat)
- 58 ns tfi(typ)
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Offre una Vsat bassissima progettata per la commutazione fino a 5 kHz.
| Codice prodotto | Scheda dati | Descrizione | Pd - Dissipazione di potenza | Corrente continua di collettore Ic max | Corrente di perdita gate-emettitore | Tensione di saturazione collettore-emettitore |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXYH100N65C5 |  |
IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD | 750 W | 230 A | 100 nA | 1.68 V |
| IXYA50N65C5 | |
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263 | 650 W | 110 A | 100 nA | 1.67 V |
| IXYP48N65A5 | |
IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220 | 326 W | 130 A | 100 nA | 1.27 V |
| IXYA48N65A5 | |
IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263 | 326 W | 130 A | 100 nA | 1.27 V |
| IXYA55N65B5 | |
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263 | 395 W | 122 A | 100 nA | 1.3 V |
| IXYH85N120A4 | |
IGBTs TO247 1200V 85A XPT | 1.15 kW | 520 A | 100 nA | 1.8 V |
| IXYK140N120A4 | |
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4 | 1.5 kW | 480 A | 200 nA | 1.7 V |
| IXXX160N65B4 | |
IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 940 W | 160 A | 200 nA | 1.8 V |
| IXXH110N65C4 | |
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 880 W | 110 A | 100 nA | 2.35 V |
| IXXH80N65B4 | |
IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 625 W | 80 A | 100 nA | 2.1 V |