IGBT di tipo trench GenX5™ XPT™

Gli IGBT di tipo trench IXYS XPT™ GenX5™ sono sviluppati utilizzando la tecnologia XPT thin-wafer proprietaria e l'avanzato processo di tipo trench IGBT di 5a generazione (GenX5). Questi dispositivi presentano una resistenza termica ridotta, basse perdite di energia, commutazione rapida, bassa corrente di coda e alta densità di corrente. Gli IGBT a trincea GenX5 XPT hanno aree operative sicure da polarizzazione inversa quadrata (RBSOA) e una tensione di rottura di 650 V, caratteristica che li rende ideali per applicazioni hard-switching senza arresto. Questi IGBT includono anche un coefficiente di temperatura di tensione collettore-emettitore positivo, che consente ai progettisti di utilizzare più dispositivi in parallelo per soddisfare i requisiti di alta corrente. La bassa carica del gate di questi dispositivi aiuta a ridurre i requisiti di gate drive e le perdite di commutazione.