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Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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Diodes Incorporated Diodo TVS bidirezionale D3V3ZF1BD2CSP

06/22/2026

- Dispositivo a bassa capacità progettato specificamente per proteggere le linee differenziali ad alta velocità.

Diodes Incorporated Raddrizzatori planari iperveloci DTHP60B07PT da 60 A

03/13/2026

- Presenta una tensione inversa di 650 V, una bassa caduta di tensione diretta e un tempo di recupero inverso ultraveloce.

Diodes Incorporated Soppressore di tensione transitoria 5.0SMCJ1xCA 5000W

10/31/2025

- Diodo TVS ad alta potenza progettato per proteggere i circuiti elettronici sensibili dai picchi di tensione.

Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.

Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E

10/31/2025

- Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3

10/21/2025

- Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.

Diodes Incorporated Raddrizzatore a recupero rapido passivato in vetro DTH1006P5

10/13/2025

- Raddrizzatore con tensione inversa ripetitiva di picco (VRRM) di 600 V in un package PowerDI®5 termicamente efficiente.

Diodes Incorporated Transistori bipolari PNP DXTP80x

09/18/2025

- I transistori bipolari PNP offrono un fattore di forma piccolo, con un package PowerDI 3333-8 termicamente efficiente.

Diodes Incorporated Transistori bipolari NPN DXTN80x

09/17/2025

- Offrono un package PowerDI 3333-8 di fattore di forma piccolo ed efficiente dal punto di vista termico, per prodotti ad alta densità.

Diodes Incorporated Transistori bipolari DXTN/P 78Q & 80Q

07/24/2025

- Offrono una tensione nominale di 30 V, 60 V e 100 V, con un'efficienza di conduzione eccezionale e prestazioni termiche elevate.

Diodes Incorporated Raddrizzatori a ponte TT8M 8 A in vetro passivi

05/01/2025

- Dotati di una tensione inversa di picco massima ripetitiva di 1.000 V e di una corrente di uscita media raddrizzata di 8 A.

Diodes Incorporated Diodi Schottky al carburo di silicio DSCxA065LP

02/20/2025

- Offrono una stabilità superiore della dispersione inversa ad alte temperature in un package DFN8080.

Diodes Incorporated Transistori DXTN69060C a 60 V NPN a VCE(SAT) ultra basso

11/14/2024

- Dispone di una struttura proprietaria per ottenere prestazioni VCE(SAT) ultra-basse.

Diodes Incorporated MOSFET DMT31M8LFVWQ da 30 V in modalità di miglioramento N-Ch

10/01/2024

- Offre una bassa resistenza in un package di piccole dimensioni termicamente efficiente.

Diodes Incorporated DMN2992UFA 20 V MOSFET in modalità di miglioramento N-Ch

08/01/2024

- MOSFET da 20 V a canale N progettato per ridurre al minimo il RDS(ON), disponibile in un package X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated Serie di diodi TVS a bassa capacità a 2 canali DT1042-02SRQ

07/01/2024

- Progettato per proteggere i componenti elettronici sensibili dai danni causati da ESD.

Diodes Incorporated MOSFET di potenza a canale N DMWSH120Hx 1.200 V

06/24/2024

- Progettato per minimizzare la resistenza in stato attivo e mantenere eccellenti prestazioni di commutazione.

Diodes Incorporated Raddrizzatori in vetro passivati AEC-Q101 SxCMHQ

06/04/2024

- Offrono elevate capacità di corrente elevata e bassa caduta di tensione diretta.

Diodes Incorporated Protettore di bus CAN/LIN DESD24VS2SOQ 24 V

06/01/2024

- Dispositivo di protezione da sovratensione e ESD, con package compatto SOT23 per montaggio superficiale.

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V MOSFET in modalità di miglioramento P-Ch

05/01/2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e tensione di soglia del gate, mantenendo al contempo le prestazioni di commutazione.

Diodes Incorporated Transistor di potenza BC53-16PAWQ 80 V PNP di potenza media

05/01/2024

- Disponibile in un package compatto DFN2020-3 il cui ingombro è inferiore del 50% rispetto a un package SOT-23.

Diodes Incorporated MOSFET dual asimmetrici a canale N DMT26M0LDG

04/01/2024

- Progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated Raddrizzatore ultra-veloce US1NDFQ 1 A per montaggio superficiale

03/01/2024

- Offre un tempo di recupero ultra-veloce per un'alta efficienza nelle applicazioni di rettifica in generale.

Diodes Incorporated DMP68D1LV MOSFET a modalità di miglioramento a doppio canale P

01/01/2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e capacità di ingresso, mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated Diodo TVS bidirezionale unidirezionale a 2 canali DESDxxVxS2UTQ

01/01/2024

- Progettato per proteggere l'elettronica sensibile dai danni causati dall'ESD.

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Filtra per:

Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08/14/2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08/14/2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode

08/14/2026

- Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.

Nexperia Raddrizzatori di recupero DPAK da 400 V/650 V

08/12/2026

- Raddrizzatori di recupero DPAK iperveloci e ultraveloci per la conversione di potenza ad alta tensione.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08/12/2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08/11/2026

- Offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG

08/10/2026

- Progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il applicazioni per il settore automobilistico.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08/10/2026

- Progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e alta potenza.

Texas Instruments Diodi di protezione ESD ESD2CANFD24W-Q1

08/04/2026

- Diodi di protezione ESD per le reti Automotive CAN, CAN FD, CAN SIC e CAN XL.

onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.

onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07/21/2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A

07/20/2026

- Presenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.

IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V

07/20/2026

- Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata

Bourns Diodi TVS a montaggio superficiale CDDFN2

07/07/2026

- Protezione da ESD, EFT e sovratensione per le porte esterne dei dispositivi elettronici, limitando i danni critici.

Semtech Diodo TVS RCLAMP2891PQ

06/30/2026

- Diodo TVS 1-line da 28 V a bassissima capacità elettrica, protegge le linee di segnale ad alta velocità da scarica di elettricità statica (ESD) e sovraccarico elettrico (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06/29/2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns Diodi TVS di grado automobilistico CDSOD323-T24LC-Q

06/26/2026

- Diodi TVS bidirezionali per il settore automobilistico in un package SOD-323 compatto.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SPA

06/26/2026

- Matrici di diodi TVS per ESD, EFT e protezione da sovratensione attraverso le interfacce dati e di alimentazione.

Bourns Diodi TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06/25/2026

- Offrono una selezione di opzioni di tensione da 3 V a 36 V in configurazione bidirezionale.

Diodes Incorporated Diodo TVS bidirezionale D3V3ZF1BD2CSP

06/22/2026

- Dispositivo a bassa capacità progettato specificamente per proteggere le linee differenziali ad alta velocità.

Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V

06/19/2026

- Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06/18/2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S

06/12/2026

- Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.

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