STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
Il transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB di STMicroelectronics è un transistor e-mode da 100 V e 201 A che offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce. Questo transistor presenta una frequenza di commutazione elevata, consentendo la realizzazione di progetti compatti ad alta densità di potenza, con componenti passivi ridotti e una gestione termica semplificata. Il transistor SGT3D5R10MEB opera con una resistenza di drain RDS(ON) tipica di 2,7mΩ e un intervallo della temperatura di giunzione di funzionamento da -40°C a +150°C. Questo transistor PowerGaN è ideale per convertitori CC/CC, driver per motori e sistemi solari MPPT.
Caratteristiche
- Package con raffreddamento su entrambi i lati
- La modalità enhancement (ad arricchimento) è normalmente spenta (OFF) nel transistor
- Capacità estremamente basse
- Resistenza di drain RDS(ON) tipica: 2,7mΩ
- Dissipazione di potenza totale (PTOT): 255W a TC = 25°C
- Intervallo di temperature di giunzione operativa da -40°C a +150°C
- Alta capacità di gestione dell'energia
- Velocità di commutazione molto elevata
- Zero reverse recovery charge
Applicazioni
- Convertitori CC-CC
- Driver per motori
- Sistema solare MPPT
Video
Pubblicato: 2026-08-03
| Aggiornato: 2026-09-01