STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG
STMicroelectronics STH4N150-2AG N-Channel MOSFET di potenza è progettato per fornire alta tensione e robustezza per il mercato settore automobilistico. Questo MOSFET è realizzato con la tecnologia PowerMESH™; il dispositivo combina una tensione nominale tra gate e sorgente molto elevata di 1500 V con una carica di gate ridotta e una robusta capacità di valanga. Il MOSFET STH4N150-2AG è di grado automotive, qualificato AEC-Q101 e disponibile nel package H2PAK-2. Questo dispositivo è indicato per applicazioni di commutazione, ausiliarie e automobilistiche ad alta tensione.
Caratteristiche
- Conforme allo standard AEC-Q101
- Carica del gate molto bassa 1500 V
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
- RDS(ON) massima di 10 Ω
- Corrente di drain (ID) di 2,6 A
- tensione sorgente del gate ±30 V
- Intervallo di temperature di stoccaggio e giunzione di funzionamento da -55 °C a +150 °C
Applicazioni
- Requisiti di commutazione
- Ausiliari
Dimensioni
Pubblicato: 2026-07-31
| Aggiornato: 2026-08-10