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IXYS Ultime novità per Semiconduttori

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Tipi di Semiconduttori

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IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V

07/20/2026

- Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.

IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A

07/20/2026

- Presenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02/02/2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

IXYS Diodi ad alta tensione e recupero rapido DP

01/20/2026

- Diodi SCHOTTKY da 600 V o 1.200 V con bassa corrente di dispersione inversa e rapido tempo di recupero.

IXYS MOSFET di potenza MMIX1T500N20X4 200 V X4-Class

10/08/2025

- Ceramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.

IXYS MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx

09/19/2025

- Questi dispositivi hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di accensione [RDS(ON)].

IXYS Driver di gate di lato basso IX4352NEAU

09/04/2025

- Progettato specificamente per pilotare MOSFET SiC e IGBT ad alta potenza.

IXYS MOSFET IXSJxN120R1K di potenza SiC da 1.200 V

08/27/2025

- Fino a 1.200 V di tensione di blocco con RDS(on) ridotta di 18 mΩ o 36 mΩ.

IXYS Driver di gate a singolo canale isolato IX3407B

06/30/2025

- Provides a typical 7A peak source and sink output current on separate output pins.

IXYS Raddrizzatori per il settore automobilistico in silicio serie Dx

04/14/2025

- Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.

IXYS Diodi SCHOTTKY SiC DCK

04/03/2025

- Presentano un funzionamento ad alta frequenza e un'elevata capacità di corrente di sovraccarico.

IXYS Gate driver IXD0579M

04/03/2025

- Gate driver high-side e low-side ad alta frequenza da 100 V con diodo di bootstrap integrato.

IXYS Modulo a diodo tiristore MCMA140PD1800TB

03/25/2025

- 140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.

IXYS MOSFET di potenza IXFP34N65X2W

03/17/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET sic IXSA80N120L2-7

03/06/2025

- MOSFET a singolo interruttore con dispositivo di grado industriale da 1.200 V, 30 mΩ, 79 A in package TO263-7L.

IXYS MOSFET di potenza IXFH34N65X2W

02/27/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET di potenza IXFH46N65X2W

02/27/2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS Gate driver IXD2012N

02/18/2025

- High-side and low-side high-speed gate driver switches up to 200V in bootstrap operation.

IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4

11/28/2024

- Offrono una tensione nominale di 200 V, un intervallo di corrente da 340 A a 500 A e un package SOT-227B.

IXYS Due diodi a recupero rapido da 50 A, 1.200 V DPF100C1200HB

11/22/2024

- Due diodi di commutazione di potenza per uso generale in configurazione a catodo comune e un pacchetto TO-247.

IXYS IGBT XPT Gen5

07/25/2024

- Offre una tensione nominale di 650 V, un intervallo di corrente da 35 A a 220 A e una carica di gate bassa.

IXYS Raddrizzatore a ponte trifase DPF30U200FC 200 V 30 A

07/22/2024

- Questo dispositivo è comunemente utilizzato come raddrizzatore negli alimentatori a commutazione (SMPS).

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Nexperia Raddrizzatori di recupero DPAK da 400 V/650 V

08/12/2026

- Raddrizzatori di recupero DPAK iperveloci e ultraveloci per la conversione di potenza ad alta tensione.

Murata Scheda di valutazione LBMA0ZZ2NR-EVK

08/12/2026

- Kit di valutazione e sviluppo applicativo per il modulo di tipo 2NR (LBMA0ZZ2NR-001).

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08/12/2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

Abracon ABFBxx Clock Buffers

08/12/2026

- Ultra-low-jitter fanout buffers for PCIe, clock trees, and communications systems.

MediaTek Piattaforme IoT Gen-AI Genio 420, 520 e 720

08/11/2026

- Parte della famiglia di soluzioni all'avanguardia per applicazioni IoT avanzate.

u-blox EVK-X20D GNSS Evaluation Kit

08/11/2026

- Designed to test the features and capabilities of the ZED-X20D dual-antenna GNSS heading module.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08/11/2026

- Offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce.

STMicroelectronics Regolatore di tensione LDO ad alta precisione da 400 mA LDQ44

08/10/2026

- Le caratteristiche incluse rendono l'LDQ44 adatto per applicazioni a basso consumo e alimentate a batteria.

Nisshinbo NC2650 1A Step-Down Switching Regulator

08/10/2026

- Step-down switching regulator using CMOS-based with PWM/PFM automatic alternating function.

Analog Devices Inc. Ricetrasmettitore CAN FD ad alta velocità ADM33051E

08/10/2026

- Un robusto ricetrasmettitore CAN ad alta velocità e a bassa potenza che funziona con un alimentatore da 3,3 V.

Sensirion Scheda di valutazione SEK-SEN69C

08/10/2026

- Kit di valutazione per il sensore all-in-one di rilevamento della qualità dell'aria in ambienti interni SEN69C.

Alliance Memory AS4C512M16D4D/1G8D4D 8Gb DDR4 SDRAMs

08/10/2026

- High-speed dynamic random-access memory is internally organized with eight banks or sixteen banks.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG

08/10/2026

- Progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il applicazioni per il settore automobilistico.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08/10/2026

- Progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e alta potenza.

Diodes Incorporated DML1012ALDSQ Single-Channel Smart Load Switch

08/10/2026

- The device includes an N-channel MOSFET for up to VBIAS = 1.5V input-voltage operation.

Infineon Technologies Microcontroller C1 di controllo PSOC™

08/06/2026

- MCU di controllo a 32 bit con CPU Arm® Cortex®-M0 e coprocessore MATH.

Infineon Technologies Scheda di valutazione EVAL_GD_BDS_GAN

08/06/2026

- Scheda di valutazione gate driver per modelli di interruttori bidirezionali CoolGaN™.

Infineon Technologies Schede di valutazione BDS CoolGaN™

08/06/2026

- Schede figlie compatte per la valutazione di interruttori bidirezionali GaN da 40 V.

NXP Semiconductors FRDM Automotive Development Platforms

08/05/2026

- Brings automotive-grade hardware and software to deliver secure, safe, and accelerated development.

NXP Semiconductors Scheda di sviluppo FRDM i.MX 95 Pro

08/04/2026

- Valuta il processore applicativo i.MX 95 in un contenitore compatto da 19 mm x 19 mm.

Texas Instruments Diodi di protezione ESD ESD2CANFD24W-Q1

08/04/2026

- Diodi di protezione ESD per le reti Automotive CAN, CAN FD, CAN SIC e CAN XL.

Texas Instruments Modulo di valutazione TPS25752A

08/04/2026

- Supporta applicazioni USB Type-C ® a porta singola e Power Delivery (PD) con modalità solo sorgente (source-only).

Analog Devices Inc. Scheda di valutazione MAX22915EVKIT

08/04/2026

- Una progettazione collaudata per la valutazione del MAX22915, un commutatore ad alto rendimento a 8 canali con diagnostica avanzata.

Analog Devices Inc. Scheda di valutazione MAX22215

08/04/2026

- Progettata per valutare il driver MAX22215 in combinazione con il sistema di scheda di valutazione TRINAMIC.

Analog Devices Inc. Interruttore high-side ottale industriale MAX22915

08/04/2026

- ADC integrato a 7 bit per monitorare la temperatura del chip, la corrente di uscita per canale o la tensione di alimentazione VDD.

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