Ultime novità per Transistor

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipi di Transistor

Elenco Immagini

Filtri applicati:

Produttore = Nexperia Torna alla scheda Prodotti per modificare i filtri correnti.

Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF

09/29/2025

- Utilizza la tecnologia Trench 9, soddisfa i requisiti AEC-Q101.

Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N

09/09/2025

- Compatibile a livello logico, commutazione rapida e completamente qualificata per il settore automobilistico secondo la norma AEC-Q101 a 175°C.

Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

08/27/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ

08/27/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia Transistori bipolari a giunzione (BJT) MJPEx

08/26/2025

- Il package CFP15B offre un'alternativa compatta ed economica alla serie MJD nel package DPAK.

Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ

08/19/2025

- FET a canale P da 30 V in un package in plastica SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ

08/19/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

08/19/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMT

07/03/2025

- 40 V, 1,2 mΩ o 12 mΩ, transistor ad alta mobilità elettronica bidirezionali in nitruro di gallio (GaN) (HEMT).

Nexperia I FET GaN GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 da 100 V

07/03/2025

- Sono dispositivi e-mode normalmente spenti che offrono prestazioni superiori e una resistenza in stato attivo molto bassa.

Nexperia FET GaN bidirezionale GANB8R0-040CBA

04/14/2025

- FET HEMT GaN bidirezionale da 40 V, 8,0 mΩ alloggiato in un compatto package WLCSP da 1,7 mm x 1,7 mm.

Nexperia MOSFET a livello logico canale N Trench Nexperia PXNx

04/14/2025

- MOSFET da 60 V e 100 V progettati per la gestione dell'energia ad alta efficienza in varie applicazioni.

Nexperia FET a canale N in modalità di miglioramento NX5020x

04/01/2025

- I dispositivi hanno una tensione di soglia molto bassa e una commutazione molto veloce grazie alla tecnologia MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET di potenza ottimizzati per applicazioni specifiche

01/21/2025

- Uniscono la comprovata esperienza nei MOSFET a una profonda conoscenza delle applicazioni per sviluppare una gamma in continua espansione.

Nexperia ASFET CCPAK per hot-swap e avvio progressivo

01/08/2025

- Offrono una modalità lineare affidabile, una SOA migliorata e bassa RDS(on) in un unico dispositivo.

Nexperia Transistor PNP BC5xPAS-Q 1 A di media potenza

12/30/2024

- Transistor PNP con certificazione AEC-Q101 in un package plastico SMD DFN2020D-3 (SOT1061D) ultra sottile e senza piombo.

Nexperia Transistor di potenza BC869-Q

12/11/2024

- Transistor PNP di media potenza in un package plastico SOT89 (SC-62) a media potenza e terminali piatti.

Nexperia FET GaN bidirezionale GANB4R8-040CBA

10/01/2024

- Un transistor ad alta mobilità elettronica GaN bi-direzionale da 40 V, 4,8 mΩ in un package WLCSP.

Nexperia MOSFET a canale N BUK7J2R4-80M

08/30/2024

- Basato sulla tecnologia trench 14 a gate diviso a basso valore ohmico e alloggiato in un package LFPAK56E.

Nexperia Transistori PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q

07/04/2024

- Provides low collector-emitter saturation voltage and high collector current capability.

Nexperia FET GANE3R9-150QBA al nitruro di gallio (GaN)

07/02/2024

- Un FET generico da 150 V, 3,9 mΩ al nitruro di gallio (GaN) in un package VQFN.

Nexperia MOSFET SiC a canale N NSF0x0120

07/01/2024

- Disponibili in un package plastico TO-263 a 7 pin o QDPAK a 22 pin per la tecnologia di montaggio superficiale PCB.

Nexperia MOSFET a canale N NextPower PSMNxRx-80YSF

06/24/2024

- MOSFET con gate drive di livello standard 80 V con basso Qrr per una maggiore efficienza e minori picchi.

Nexperia MOSFET a canale N NSF0x120L4A0

04/23/2024

- MOSFET di potenza a 1200 V basati sul carburo di silicio (SiC) in pacchetti plastici a 4 pin TO-247.

Nexperia MOSFET di tipo trench a canale N BSS138AK

04/04/2024

- Transistori a effetto campo (FET) a canale N conformi a AEC-Q101 in modalità enhancement e in piccoli contenitori SMD.

Visualizzazione: 1 - 25 di 40

Filtra per:

onsemi NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

09/17/2026

- 80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09/16/2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325

09/09/2026

- Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).

IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 13,5 mΩ e 147 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH110N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 18 mΩ e 112 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali

Microchip Technology Moduli di potenza HV-D3 mSiC®

09/01/2026

- Semplifica e accelera l'adozione di trasformatori allo stato solido nei data center e in altre applicazioni di alimentazione ad alto voltaggio.

onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2

08/25/2026

- Moduli MOSFET EliteSiC a ponte completo con resistenza di conduzione di 11 mΩ e tensione nominale di 1.200 V.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V

08/25/2026

- Offrono un valore basso di RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e una bassa QG, oltre a capacità elettriche ridotte per minimizzare le perdite del driver.

STMicroelectronics Invertitore trifase STGI15C60S e IGBT SLLIMM

08/19/2026

- Questo dispositivo è ideale per gli azionamenti dei motori che operano fino a 20 kHz in circuiti a commutazione rigida.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08/12/2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08/11/2026

- Offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG

08/10/2026

- Progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il applicazioni per il settore automobilistico.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08/10/2026

- Progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e alta potenza.

onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.

onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07/21/2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata

Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V

06/19/2026

- Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06/18/2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S

06/12/2026

- Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.

Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

05/27/2026

- Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.

Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N

05/18/2026

- Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.

Visualizzazione: 1 - 25 di 570

Tipi di Transistor

Filtri applicati:

Filtra per:

Ufficio Servizio Clienti

Azienda

Risorse

Assistenza