Ultime novità per Transistor

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ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07/21/2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità

04/10/2026

- I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati

03/17/2026

- Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RH7G03BBJFRA

11/18/2025

- Questo MOSFET ha una tensione nominale VDSS di -40V e una corrente nominale ID (VDS= -10V) di ±22A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RJ1P10BAT

11/18/2025

- Questo MOSFET ha una tensione VDSS nominale di -100V e una corrente ID nominale (VDS = 10V) di ±105A.

ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

10/17/2025

- I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

10/16/2025

- MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1x10BBG

08/21/2025

- MOSFET di potenza a canale N con bassa resistenza di accensione e package ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P RQxAT

08/21/2025

- Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N

08/21/2025

- MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60 V MOSFET di potenza a canale P

08/19/2025

- Un VDSS -60 V e un ID ±36 A di grado per il settore automobilistico MOSFET che è certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con qualifica AEC-Q101, 60 V (VDSS) e (ID) di ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7P04BBKFRA da 100 V a canale N

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 100 V e ID nominale di ±40 A, con certificazione AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7L03 60 V canale N

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 60 V e ID nominale di ±35 A, certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 40 V RQ3G120BKFRA

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con tensione VDSS di 40 V e corrente ID nominale di ±12 A, qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P per piccoli segnali -40 V RQ5G040AT

08/19/2025

- MOSFET con tensione di drain-source (VDSS) di -40 V e corrente di drain continua (ID) di ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7G04 da 40 V a canale N

08/19/2025

- Questi dispositivi sono MOSFET di grado automobilistico con certificazioneAEC-Q101, VDSS di 40 V e ID di ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA

08/19/2025

- Un MOSFET di grado automobilistico con VDSS di -30 V e ID di ±40 A nominali e qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Transistor di potenza NPN 1,5 A 160 V 2SCR579D3

08/06/2025

- Un transistor di potenza con bassa VCE(sat) e adatto come amplificatore a bassa frequenza.

ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40 V -40 A MOSFET di potenza a canale P

08/06/2025

- Questo MOSFET è un MOSFET di potenza di qualità automobilistica, certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Transistor di potenza 2SAR579D3 PNP 1,5 A 160 V

08/06/2025

- Il transistor di potenza ha un basso VCE(sat) ed è adatto come amplificatore a bassa frequenza.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RQ3P270BLFRA

08/04/2025

- MOSFET per il settore automobilistico con certificazione AEC-Q101 nel package HSMT8AG.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RxP120BLFRA

07/22/2025

- MOSFET con certificazione AEC-Q101 di qualità automobilistica, ideali per applicazioni per il settore automobilistico.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RxL120BLFRA

07/22/2025

- MOSFET per il settore automobilistico, certificati AEC-Q101 per ADAS, infotainment, illuminazione e carrozzeria.

ROHM Semiconductor Automotive 40V/60V MOSFET a bassa tensione

07/18/2025

- Combina alte prestazioni con un'affidabilità comprovata per applicazioni veicolari impegnative.

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onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09/16/2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325

09/09/2026

- Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).

IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 13,5 mΩ e 147 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH110N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 18 mΩ e 112 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali

Microchip Technology Moduli di potenza HV-D3 mSiC®

09/01/2026

- Semplifica e accelera l'adozione di trasformatori allo stato solido nei data center e in altre applicazioni di alimentazione ad alto voltaggio.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V

08/25/2026

- Offrono un valore basso di RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e una bassa QG, oltre a capacità elettriche ridotte per minimizzare le perdite del driver.

onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2

08/25/2026

- Moduli MOSFET EliteSiC a ponte completo con resistenza di conduzione di 11 mΩ e tensione nominale di 1.200 V.

STMicroelectronics Invertitore trifase STGI15C60S e IGBT SLLIMM

08/19/2026

- Questo dispositivo è ideale per gli azionamenti dei motori che operano fino a 20 kHz in circuiti a commutazione rigida.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08/12/2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08/11/2026

- Offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG

08/10/2026

- Progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il applicazioni per il settore automobilistico.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08/10/2026

- Progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e alta potenza.

onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.

onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07/21/2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata

Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V

06/19/2026

- Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06/18/2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S

06/12/2026

- Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.

Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

05/27/2026

- Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.

Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N

05/18/2026

- Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.

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