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Produttore
= STMicroelectronics
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STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
08/11/2026
08/11/2026
Offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
08/10/2026
08/10/2026
Progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e alta potenza.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
12/04/2025
Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11/07/2025
11/07/2025
Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK
10/28/2025
10/28/2025
Transistor PowerGaN E-Mode ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative.
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Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A
10/14/2026
10/14/2026
HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.
Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L
10/06/2026
10/06/2026
HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.
Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L
10/06/2026
10/06/2026
220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
08/11/2026
08/11/2026
Offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
08/10/2026
08/10/2026
Progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e alta potenza.
onsemi FET GaN GaNEXUS™
07/08/2026
07/08/2026
Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata
Renesas Electronics Interruttore bidirezionale (BDS) TP65B110HRU
03/20/2026
03/20/2026
BDS in nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 110 mΩ normalmente disattivato in un compatto package TOLT.
Infineon Technologies Interruttori bidirezionali CoolGaN™ a media tensione
03/17/2026
03/17/2026
Questi dispositivi sono ideali come interruttori di disconnessione della batteria in varie applicazioni.
Qorvo HEMT GaN/SiC da 300W QPD2560L
03/09/2026
03/09/2026
Progettato per applicazioni esigenti in banda L, opera in un intervallo di frequenza compreso tra 1,0 GHz e 1,5 GHz.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
03/05/2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
03/05/2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
03/05/2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
02/26/2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02/26/2026
02/26/2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
02/26/2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
01/20/2026
01/20/2026
HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.
Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso
01/19/2026
01/19/2026
I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
01/19/2026
01/19/2026
HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.
Infineon Technologies Interruttori CoolGaN™ Drive HB 600 V G5
12/23/2025
12/23/2025
Interruttori integrati in uno stadio di potenza a mezzo ponte con due interruttori CoolGaN in modalità di miglioramento da 600 V.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
12/04/2025
Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11/07/2025
11/07/2025
Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK
10/28/2025
10/28/2025
Transistor PowerGaN E-Mode ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative.
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08/18/2025
08/18/2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia I FET GaN GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 da 100 V
07/03/2025
07/03/2025
Sono dispositivi e-mode normalmente spenti che offrono prestazioni superiori e una resistenza in stato attivo molto bassa.
Nexperia GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
07/03/2025
40 V, 1,2 mΩ o 12 mΩ, transistor ad alta mobilità elettronica bidirezionali in nitruro di gallio (GaN) (HEMT).
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