Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

STP8N120K5

Name: STMicroelectronics STP8N120K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP8N120K5
Price: 6.1 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

511-STP8N120K5

N. produttore:

STP8N120K5

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

Completa il tuo progetto

Scheda dati:

STP8N120K5 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su STMicroelectronics STP8N120K5

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	13.7 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	130 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	27 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	11 ns
Serie:	STP8N120K5
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	40 ns
Tipico ritardo di accensione:	15.5 ns
Peso unità:	2 g

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

STP8N120K5 Scheda dati (PDF)

PCN

Codici di conformità

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Singapore
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET ad alta tensione SuperMESH™

I MOSFET di potenza STMicroelectronics a protezione Zener SuperMESH™ rappresentano l'estrema ottimizzazione della disposizione a striscia standard PowerMESH™. I MOSFET STMicroelectronics SuperMESH abbassano notevolmente la resistenza in conduzione, assicurando al contempo un'ottima capacità dv/dt per le applicazioni più esigenti. I dispositivi SuperMESH hanno minima carica al gate e sono testati al 100% con il metodo avalanche. Offrono inoltre migliore protezione ESD e una nuova soglia per l'alta tensione. Questi MOSFET STMicroelectronics sono progettati per l'uso nelle applicazioni di switch.
Maggiori informazioni

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

STMICROELECTRONICS

MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG

Progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il applicazioni per il settore automobilistico.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza STL059N4S8AG

Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

800 V, protetto da Zener, testato al 100% contro le valanghe e ideale per convertitori flyback e illuminazione a LED.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET F8 a canale N sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione di package completa da 30 V a 150 V.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza a canale N STP80N1K1K6

Utilizza la tecnologia MDmesh K6, sfruttando 20 anni di esperienza nella tecnologia a supergiunzione.

Maggiori informazioni

A magazzino: 11

A magazzino:: 11

Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
In ordine:: 2.000

25/12/2026 previsto
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 24

settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,10 €	6,10 €
	3,34 €	33,40 €
	3,05 €	305,00 €
	2,55 €	1.275,00 €

STP8N120K5

Produttore: STMicroelectronics

Descrizione: MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Completa il tuo progetto

Caratteristiche tecniche

Documenti (7)

Scheda dati

PCN

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

Maggiori informazioni

MOSFET ad alta tensione SuperMESH™

Altri clienti hanno comprato anche

PRODOTTI IN PRIMO PIANO STMICROELECTRONICS

A magazzino: 11

Prezzi (EUR)

QuickView

Si è verificato un errore imprevisto.

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

Completa il tuo progetto

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

STMICROELECTRONICS