STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STripFET F8
I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione completa di package da 30 V a 150 V per soddisfare tutti i requisiti delle soluzioni ad altissima densità di potenza. Questi MOSFET a bassa tensione dispongono della tecnologia STPOWER STRipFET F8. La tecnologia STRipFET F8 risparmia energia e garantisce basso rumore nella conversione di potenza, controllo del motore e circuiti di distribuzione di potenza, riducendo sia la resistenza in stato attivo che le perdite di commutazione, ottimizzando nel contempo le proprietà del diodo di corpo. Il STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel MOSFET di potenza semplifica il sistema progetti e aumenta efficienza in applicazioni come settore automobilistico computer / periferiche data center, telecomunicazioni, solare, alimentatori / convertitori caricabatterie domestico / professionale elettrodomestici giochi, droni e altro ancora.
Caratteristiche
- Qualificati AEC-Q101 (parti che terminano in AG)
- Perdite di conduzione molto basse con efficienza aumentata e progetti più compatti
- La morbidezza del diodo del corpo e la bassa carica del gate-drain garantiscono un eccellente comportamento di commutazione
- Tensione di soglia di gate più ristretta per facilitare le connessioni in parallelo
- Basse emissioni EMI
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1
- Intervallo di temperatura di funzionamento: da -55 °C a +175 °C
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
- Flangia bagnabile, package PowerFLAT da 5 mm x 6 mm
- Tecnologia sostenibile
Applicazioni
- STL160N10F8
- Alimentazione per telecomunicazioni e server
- Sistema di gestione della batteria industriale (BMS)
- Utensili elettrici
- Droni
- STL170N4LF8 e STL300N4LF8
- Strumenti industriali, azionamenti motori e attrezzature
- Controllo del motore per applicazioni industriali
- Alimentatori e convertitori
- STL175N4LF8AG, STL305N4LF8AG, STL165N4F8AG e STK615N4F8AG
- Controllo del motore per applicazioni automotive
- Comodità e facilità d'uso
- Telaio e sicurezza
- Gruppo propulsore per ICE
- Applicazioni di commutazione per STL120N10F8, STL320N4LF8, STL325N4LF8AG e STL325N4LF8AG
Specifiche
- Opzioni di tensione massima drain-source 40 V o 100 V
- Opzioni di tensione massima gate-source: ±16 V o ±20 V
- Intervallo di corrente di drain massima: da 304 A a 1.492 A
- Intervallo di dissipazione di potenza totale: da 111 W a 188 W
- Valanga a singolo Pulse
- Corrente 60 A
- Intervallo di energia: da 140 mJ a 590 mJ
- Resistenza
- Intervallo di capacità di ingresso: da 2.600 pF a 7.657 pF
- Intervallo di capacità di uscita: da 680 pF a 1968pf di portata
- Stati di accensione/spegnimento
- Intervallo di corrente drain a tensione di gate zero: da 1 µA a 100 µA
- Corrente di dispersione gate-body: 100 nA
- Intervallo di tesione di soglia del gate massimo: da 1,2 V a 4 V
- Resistenza statica massima drain-source 0,75 mΩ a 4,6 mΩ
Video
Note applicative
MOSFET in primo piano
STMicroelectronics MOSFET STripFET a canale N da 100 V STL120N10F8
Il dispositivo utilizza la tecnologia STripFET F8 di ST con una struttura gate trench migliorata.
STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STL325N4LF8AG
Utilizza la tecnologia STripFET F8 e presenta una struttura trench gate migliorata.
STMicroelectronics MOSFET di potenza STripFET F8 a canale N STL320N4LF8
Prodotto con la tecnologia trench MOSFET STripFET F8.
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