Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 150 V
I MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 150 V di Infineon Technologies sono caratterizzati da una bassa RDS(ON) leader del settore, prestazioni di commutazione migliorate ed eccellente comportamento EMI, che contribuiscono a garantire efficienza, densità di potenza e affidabilità senza pari. La tecnologia OptiMOS 6 offre miglioramenti significativi rispetto al suo predecessore, OptiMOS 5, tra cui un RDS(on) inferiore fino al 41%, una FOMg inferiore del 20% e una FOMgd inferiore del 17%. Inoltre, questi MOSFET presentano un'elevata robustezza valanga e una temperatura di giunzione massima di +175 °C, garantendo un funzionamento robusto e stabile in ambienti impegnativi. Con un ampio portafoglio di pacchetti, i MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™ 6 da 150 V sono progettati per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni con frequenze di commutazione sia alte che basse, garantendo una maggiore affidabilità del sistema e una durata più lunga.
Caratteristiche
- Perdite di commutazione e conduzione ridotte
- Funzionamento stabile con miglioramento dell'EMI
- Migliore ripartizione della corrente in parallelo
- Robustezza potenziata
- Affidabilità del sistema migliorata
- Resistenza on drain-source [RDS(on)] estremamente bassa - IPF036N15NM6, IPB038N15NM6, IPF048N15NM6, IPP038N15NM6, IPT034N15NM6 e IPTC034N15NM6
- Figura di merito (FOMg) inferiore del 20% rispetto a OptiMOS 5 - IPB051N15NM6, IPB085N15NM6, IPB057N15NM6, IPP057N15NM6, IPT034N15NM6, IPT047N15NM6, IPTC034N15NM6 e ISC165N15NM6
- Alta corrente nominale - IPT034N15NM6, IPT047N15NM6 e IPTC034N15NM6
- Raffreddamento lato superiore - IPTC034N15NM6
- Carica di recupero inverso ridotta (QRR) per 150 V
- Diodo più morbido rispetto a OptiMOS 5
- Alta robustezza contro la valanga
- Tensione di soglia del gate limitata [VGS(the)] ±500 mV
- Disponibile in diverse opzioni di package: D2PAK 3 pin, D2PAK 7 pin, TO-220, TOLL, TOLT (per raffreddamento sul lato superiore) e SuperSO8
- Temperatura di giunzione max +175 °C
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1
- Senza alogeni e conforme a RoHS
Applicazioni
- Veicoli elettrici leggeri (LEV)
- Controllo del motore
- Utensili elettrici
- Sistemi di conservazione dell'energia
- Conversione di potenza
- Applicazioni fotovoltaiche
- Alimentatori industriali
- Unità di alimentazione server (PSU)
- Infrastrutture di telecomunicazione
Specifiche
- Intervallo della corrente di drain continua da 50 A a 194 A
- Tensione di rottura drain-source di 150 V
- Tensione di soglia gate-source di 4 V
- Intervallo della dissipazione di potenza da 95 W a 294 W
- Intervallo di tempo di ritardo di accensione tipico da 7 ns a 18 ns
- Intervallo del tempo di ritardo di spegnimento tipico da 9 ns a 27 ns
- Intervallo del tempo di salita da 2 ns a 17 ns
- Intervallo del tempo di discesa da 8 ns a 15 ns
- Intervallo del valore minimo della transconduttanza diretta da 19 S a 70 S
- Intervallo della carica del gate da 14,8 nC a 69 nC
- Intervallo di resistenza tra il drenaggio e la sorgente da 3,2 mΩ a 15,6 mΩ
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +175 °C
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Pubblicato: 2025-03-24
| Aggiornato: 2025-07-17