MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 150 V

I MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 150 V di Infineon Technologies sono caratterizzati da una bassa R_DS(ON) leader del settore, prestazioni di commutazione migliorate ed eccellente comportamento EMI, che contribuiscono a garantire efficienza, densità di potenza e affidabilità senza pari. La tecnologia OptiMOS 6 offre miglioramenti significativi rispetto al suo predecessore, OptiMOS 5, tra cui un RDS_(on) inferiore fino al 41%, una FOM_g inferiore del 20% e una FOM_gd inferiore del 17%. Inoltre, questi MOSFET presentano un'elevata robustezza valanga e una temperatura di giunzione massima di +175 °C, garantendo un funzionamento robusto e stabile in ambienti impegnativi. Con un ampio portafoglio di pacchetti, i MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™ 6 da 150 V sono progettati per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni con frequenze di commutazione sia alte che basse, garantendo una maggiore affidabilità del sistema e una durata più lunga.