MOSFET di potenza OptiMOS™ 6

I MOSFET di potenza 6 OptiMOS™ di Infineon Technologies offrono l'innovazione all'avanguardia di nuova generazione e le migliori prestazioni della categoria. La famiglia di prodotti OptiMOS 6 utilizza la tecnologia a wafer sottile che consente notevoli vantaggi in termini di performance. Rispetto ai prodotti alternativi, i MOSFET di potenza OptiMOS 6 hanno una RDS(ON) ridotta del 30% e sono ottimizzati per il raddrizzamento sincrono.

Risultati: 81
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 36.307A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 10.262A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 179 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 55 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 10.335A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 8.894A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 6.3 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 4.681A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 6.8 mOhms 20 V 4.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 8.136A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-5-1 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 94 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 13.720A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 55 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 4.856A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 14 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 5.746A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-5-5 N-Channel 1 Channel 40 V 490 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 130 nC - 55 C + 175 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 700A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 1.043A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 156 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 1.818A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT PG-TO263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin 700A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package 1.500A magazzino
1.00016/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 178 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 1.963A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package 4.054A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling 1.979A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V 5.470A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V 6.260A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 6.000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package 3.999A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 15.6 mOhms 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package 333A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT PG-TO263-7 N-Channel 1 Channel 150 V 146 A 4.6 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 998A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 4.8 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 277A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 1.235A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 90 A 8 mOhms 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package 232A magazzino
1.00005/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.4 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape