MOSFET di potenza OptiMOS™ 6

I MOSFET di potenza 6 OptiMOS™ di Infineon Technologies offrono l'innovazione all'avanguardia di nuova generazione e le migliori prestazioni della categoria. La famiglia di prodotti OptiMOS 6 utilizza la tecnologia a wafer sottile che consente notevoli vantaggi in termini di performance. Rispetto ai prodotti alternativi, i MOSFET di potenza OptiMOS 6 hanno una RDS(ON) ridotta del 30% e sono ottimizzati per il raddrizzamento sincrono.

Risultati: 107
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 716A magazzino
Min: 1
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: 6.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 8.918A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 8.822A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 8.652A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 6.3 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.432A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 127 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance 3.500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance 4.193A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT WTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 898A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin 900A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL 939A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V 4.148A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V 5.211A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 6.352A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 2.833A magazzino
5.00020/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 2.604A magazzino
5.00027/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3.960A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 783A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 216A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3.871A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12) 6.611A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 6.142A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 6.8 mOhms 20 V 4.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package 1.006A magazzino
8.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 4.750A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 1.605A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 2.308A magazzino
1.80020/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape