Piattaforma di valutazione MOSFET CoolSiC™ 1200 V

La piattaforma di valutazione MOSFET 1.200 V CoolSiC ™di Infineon Technologies  dimostra le caratteristiche del MOSFET trench SiC 1200 V CoolSiC ™ 45 m Ω(IMZ120R045M1) quando accoppiato con i CI driver di porta EiceDriver™. La piattaforma di valutazione include una scheda madre modulare (EVALPSSICDPMAINTOBO1), una scheda figlia con morsetto Miller (REFPSSICDP1TOBO1) e una scheda figlia di alimentazione bipolare (REFPSSICDP2TOBO1).

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