Piattaforma di valutazione MOSFET CoolSiC™ 1200 V

La piattaforma di valutazione MOSFET 1.200 V CoolSiC ™di Infineon Technologies  dimostra le caratteristiche del MOSFET trench SiC 1200 V CoolSiC ™ 45 m Ω(IMZ120R045M1) quando accoppiato con i CI driver di porta EiceDriver™. La piattaforma di valutazione include una scheda madre modulare (EVALPSSICDPMAINTOBO1), una scheda figlia con morsetto Miller (REFPSSICDP1TOBO1) e una scheda figlia di alimentazione bipolare (REFPSSICDP2TOBO1).

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Prodotto Tipo Tensione di ingresso Strumento per la valutazione di
Infineon Technologies Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione 2A magazzino
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