Infineon Technologies HEMT in nitruro di gallio CoolGaN™

Gli HEMT in nitruro di gallio Infineon CoolGaN™ offrono eccellenti vantaggi, tra cui la massima efficienza, affidabilità, densità di potenza e altissima qualità rispetto al silicio. I transistor CoolGaN sono realizzati con la tecnologia più affidabile, progettata per la massima efficienza e densità di potenza negli alimentatori a commutazione. I dispositivi funzionano come i tradizionali MOSFET in silicio con una polarizzazione della guida a modalità gate avanzata utilizzando una struttura gate P-GaN.

Questi transistori sono idonei sia per topologie di hard switching che di soft switching. CoolGaN consente l'adattamento di topologie a mezzo ponte più semplici per PFC, tra cui l'eliminazione del raddrizzatore a ponte con ingresso dissipativo. Gli HEMT CoolGaN offrono un campo elettrico critico maggiore per dispositivi di alimentazione a semiconduttori, consentendo un'eccellente commutazione ad alta velocità.

Caratteristiche

Figura di merito dei dispositivi di potenza a 600 V
Eccellente per topologie di hard-switching e soft switching
Possibilità di aumento della densità di potenza tripla
Ottimizzato per accensione e spegnimento
Nuove topologie e modulazione della corrente
Commutazione rapida (e quasi senza perdite)
Densità massima di potenza che consente un design compatto e leggero
Tecnologia per soluzioni innovative e volumi elevati
RDS(on) molto bassa e grande potenziale cost-down
Massima efficienza per SMPS

Zero reverse recovery charge
Rispetto alla tecnologia Si:
- Ripartizione 10 volte superiore e una mobilità sul campo di due volte superiore
- Carica di uscita di 10 volte inferiore
- Carica di gate di 10 volte inferiore e caratteristica lineare Coss
Package a montaggio superficiale assicura che le capacità di commutazione di GaN siano completamente accessibili
Facile da usare con un portafoglio CI driver convincente