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1EDB7275FXUMA1

Name: Infineon 1EDB7275FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDB7275FXUMA1
Price: 1.54 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-1EDB7275FXUMA1

N. produttore:

1EDB7275FXUMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Driver di porta ISOLATED DRIVER

Scheda dati:

1EDB7275FXUMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,54 €	1,54 €
	1,13 €	11,30 €
	1,02 €	25,50 €
	0,912 €	91,20 €
	0,852 €	213,00 €
	0,683 €	341,50 €
	0,636 €	636,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,614 €	1.535,00 €
	0,606 €	4.545,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	Isolated Gate Drivers
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Corrente di uscita:	9.8 A
Tensione di alimentazione - Min.:	3 V
Tensione di alimentazione - Max.:	15 V
Tempo di salita:	8.3 ns
Tempo di caduta:	5 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Infineon Technologies
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Nome commerciale:	EiceDRIVER
Alias n. parte:	1EDB7275F SP005351350

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

CI gate driver EiceDRIVER™

I CI gate driver EiceDRIVER™ di Infineon sono progettati per dispositivi MOSFET IGBT, MOSFET SiC e HEMT GaN. I gate driver EiceDRIVER™ forniscono un'ampia gamma di opzioni tipiche della corrente di uscita, da 0,1 A fino a 10 A. Questi dispositivi sono dotati di funzionalità di robusta protezione per gate drive, come la protezione veloce per il cortocircuito (DESAT), il morsetto Miller attivo, la protezione da scatto, la protezione da guasto da sovracorrente, lo spegnimento e la protezione da sovracorrente. Queste caratteristiche rendono questi CI driver ideali per dispositivi di potenza in silicio e a banda larga, tra cui CoolGaN™ e CoolSiC™. Ecco perché Infineon offre più di 500 soluzioni CI driver di porta EiceDRIVER™ adatte a qualsiasi interruttore di alimentazione e qualsiasi applicazione.

EiceDRIVER™ Isolated & Non-Isolated Gate Drivers

Infineon EiceDRIVER™ Isolated and Non-Isolated Gate Drivers provide optimized low- and high-voltage gate driver solutions for MOSFETs, IGBTs, and IGBT modules. These isolated and non-isolated gate driver ICs are designed to build reliable and efficient applications. An optimum gate drive configuration is essential for all power switches, whether they are in discrete form or in a power module. Infineon gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A, suitable for any power device size.

HEMT in nitruro di gallio CoolGaN™

Gli HEMT in nitruro di gallio Infineon CoolGaN™ offrono eccellenti vantaggi, tra cui la massima efficienza, affidabilità, densità di potenza e altissima qualità rispetto al silicio. I transistor CoolGaN sono realizzati con la tecnologia più affidabile, progettata per la massima efficienza e densità di potenza negli alimentatori a commutazione. I dispositivi funzionano come i tradizionali MOSFET in silicio con una polarizzazione della guida a modalità gate avanzata utilizzando una struttura gate P-GaN.

Prova la differenza di potenza

Infineon è il leader nel mercato dei semiconduttori di potenza. Con oltre 20 anni di esperienza e come pioniere dell'innovazione con la rivoluzionaria tecnologia MOSFET a supergiunzione CoolMOS™, Infineon continua a essere all'avanguardia nel settore della gestione energetica. I clienti possono scegliere - in base ai requisiti individuali di progettazione/di sistema - dalla più ampia gamma di MOSFET SJ in silicio del settore. Infineon è uno dei pochi produttori in grado di padroneggiare tutte e tre le principali tecnologie di alimentazione, quindi può integrare questo assortimento con innovative offerte WBG (Wide Band Gap). Questa offerta comprende MOSFET CoolSiC™a base di carburo di silicio, i diodi corrispondenti e HEMT CoolGaN ™ a base di nitruro di gallio. Sono disponibili varie soluzioni, da quelle caratterizzate da prezzi eccezionali a quelle con una robustezza senza pari, fino ai dispositivi migliori della categoria. Ciò consente ai clienti di creare applicazioni più efficienti, ecologiche e sostenibili.