Transistori di potenza CoolGaN™ G4 da 700 V

I transistor di potenza CoolGaN™ G4 da 700 V di Infineon Technologies sono transistors di potenza GaN-on-Si in modalità di potenziamento con proprietà che consentono un'elevata corrente, un'elevata tensione di rottura e un'elevata frequenza di commutazione. GaN Systems innova con innovazioni all'avanguardia nel settore, come il layout brevettato delle celle Island tecnologia^®che realizza corrente elevata die e un rendimento elevato. Questi transistori di potenza CoolGaN da 700 V consentono progetti con densità di potenza ultraelevata e un'elevata efficienza del sistema nella commutazione di potenza. I transistor di potenza GS-065 sono alloggiati nel package PDFN raffreddato sul lato inferiore. Questi transistor di potenza offrono una resistenza termica molto bassa, caratteristica che li rende ideali per applicazioni ad alta potenza. Alcune delle applicazioni includono soluzioni per data center e computer, adattatori di alimentazione, driver per illuminazione a LED, alimentatori a commutazione (SMPS), trasferimento di alimentazione wireless e azionamenti motori.