Fairchild Semiconductor

IGBT Field Stop 650 V di Fairchild

La tecnologia IGBT Field Stop 650 V Fairchild consente ai progettisti di sviluppare un sistema altamente affidabile con tensioni di ingresso maggiori, offrendo al contempo ottime prestazioni laddove siano essenziali basse perdite di conduzione e commutazione. Gli IGBT 650 V presentano capacità di gestione di correnti elevate, coefficiente di temperatura positivo, serrata distribuzione dei parametri e un'ampia area per l'utilizzo sicuro. La maggiore tensione di rottura migliora l'affidabilità laddove siano presenti temperature ambiente negative; con il diminuire della temperatura si riduce anche la tensione di blocco degli IGBT e dei FRD, rendendo il dispositivo particolarmente vantaggioso per gli invertitori fotovoltaici nei climi freddi. Dato che una scelta accurata degli IGBT e dei diodi a rotazione libera è essenziale per la massima efficienza, l'IGBT a 650 V offre un recupero sia graduale che rapido, riducendo la dissipazione di potenza e le perdite in accensione e spegnimento.

Risorse aggiuntive
Informazioni di base su IGBT Informazioni di base su IGBT
Maggiori informazioni sui CI di potenza industriali Fairchild
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Gii IGBT Field Stop FGAFx0n60 da 650 V di Fairchild usano un'innovativa tecnologia Field-Stop IGBT, la nuova serie di IGBT di seconda generazione di Fairchild® offre ottime prestazioni per convertitori solari, UPS, saldatrici e applicazioni PFC laddove siano essenziali basse perdite di conduzione e commutazione.


Risorse aggiuntive
Scheda tecnica FGAF20N60SMD
Scheda tecnica FGAF40N60SMD
Caratteristiche
  • Temperatura di giunzione massima: TJ = 175 °C
  • Coefficiente di temperatura positivo per un agevole funzionamento in parallelo
  • Capacità di alta corrente
  • Bassa tensione di saturazione
  • Alta impedenza di ingresso
  • Commutazione rapida
  • Distribuzione rigorosa dei parametri
  • Conforme a RoHS
 Applicazioni
  • Macchine da cucire
  • CNC
  • Elettrodomestici
  • Controllo motori
 

Gli IGBT Trench Field Stop 60 A 650 V FGD3N60 di Fairchild utilizzano un'avanzata tecnologia NPT. gli IGBT NPT di Fairchild® offrono le prestazioni ottimali per applicazioni guidate da inverter a bassa potenza laddove le caratteristiche di basse perdite e di resistenza ai cortocircuiti sono essenziali.


Risorse aggiuntive
Scheda tecnica FGD3N60UNDF
 IGBT Field Stop FGD3N60 650 V di Fairchild
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Caratteristiche
  • Certificato per corto circuito 10us
  • Capacità di alta corrente
  • Alta impedenza di ingresso
  • Commutazione rapida
  • Conforme a RoHS
 Applicazioni
  • Macchine da cucire
  • CNC
  • Elettrodomestici
  • Controllo motori
 

Dotata dell'innovativa tecnologia Trench Field-Stop, la nuova serie di IGBT di Fairchild® offre ottime prestazioni per convertitori solari, UPS, saldatrici e generatori di energia digitale laddove siano essenziali basse perdite di conduzione e commutazione.


Risorse aggiuntive
Scheda tecnica FGH40T65UPD
Scheda tecnica FGH50T65UPD
 IGBT Field Stop FGHx0T65 650 V di Fairchild
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Caratteristiche
  • Maximum Junction Temperature : TJ = 175ºC
  • Coefficiente di temperatura positivo per un agevole funzionamento in parallelo
  • Capacità di alta corrente
  • Bassa tensione di saturazione
  • 100% delle parti testate ILM(2)
  • Alta impedenza di ingresso
  • Distribuzione rigorosa dei parametri
  • Conforme a RoHS
  • Robustezza corto-circuito > 5 us a 25 ºC
 Applicazioni
  • Convertitori solari
  • UPS
  • Saldatrici
  • Generatori digitali di potenza
  • Telecomunicazioni
  • ESS

Gii IGBT Field Stop FGA30N65SMD da 650 V di Fairchild usano un'innovativa tecnologia Field-Stop IGBT, la nuova serie di IGBT di seconda generazione di Fairchild® offre ottime prestazioni per inverter solari, UPS, saldatrici, riscaldamento a induzione, telecomunicazioni, applicazioni ESS e PFC laddove siano essenziali basse perdite di conduzione e commutazione.


Risorse aggiuntive
Scheda tecnica FGA30N65SMD

  Caratteristiche
  • Temperatura di giunzione massima: TJ = 175 °C
  • Coefficiente di temperatura positivo per un agevole funzionamento in parallelo
  • Capacità di alta corrente
  • Bassa tensione di saturazione: VCE(sat)=1,98 V (tip.) @ IC=30 A
  • Commutazione rapida
  • Distribuzione rigorosa dei parametri
  • Conforme a RoHS

  Applicazioni
  • Convertitori solari
  • UPS
  • Saldatrici
  • PFC
  • Riscaldamento per iniezione
  • Telecomunicazioni
  • ESS

IGBT Field Stop FGA30N65SMD 650 V di Fairchild 
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L'IGBT Trench Field Stop 60 A 650 V FGA6560WDF di Fairchild utilizza l'innovativa tecnologia IGBT Field Stop. Questa nuova serie di IGBT Field Stop di terza generazione offre prestazioni ottimali per applicazioni in saldatrici laddove siano essenziali conduzione e perdite di commutazione ridotte.


Risorse aggiuntive
Scheda tecnica FGA6560WDF

Caratteristiche
  • Temperatura di giunzione massima: TJ = 175 °C
  • Coefficiente di temperatura positivo per un agevole funzionamento in parallelo
  • Capacità di alta corrente
  • Bassa tensione di saturazione
  • 100% delle parti testate ILM(2)
  • Alta impedenza di ingresso
​

  • Distribuzione rigorosa dei parametri
  • Conforme a RoHS
  • Robustezza corto-circuito > 5 us a 25 ºC

Applicazioni
  • Solo per saldatrice
 IGBT Trench Field Stop 650 V FGA6560WDF Fairchild
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  • ON Semiconductor