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FGA6560WDF

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N. Mouser:

512-FGA6560WDF

N. produttore:

FGA6560WDF

Produttore:

onsemi

Descrizione:

IGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench

Ciclo di vita:

Obsoleto

Scheda dati:

FGA6560WDF Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	IGBTs
Limitazioni per la spedizione:	Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-3PN
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.8 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	120 A
Pd - Dissipazione di potenza:	306 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	FGA6560WDF
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Corrente continua di collettore Ic max:	120 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	400 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	6,401 g

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Scheda dati

FGA6560WDF Scheda dati (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGA6560WDF 650V 60A Field Stop Trench IGBT

ON Semiconductor FGA6560 650V 60A Field Stop Trench IGBT uses novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. The FGA6560 IGBTs offer the optimum performance for welder applications that require low conduction and switching losses.