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FGD3N60UNDF

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N. Mouser:

512-FGD3N60UNDF

N. produttore:

FGD3N60UNDF

Produttore:

onsemi

Descrizione:

IGBTs 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT

Ciclo di vita:

Obsoleto

Scheda dati:

FGD3N60UNDF Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Disponibilità

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	IGBTs
Limitazioni per la spedizione:	Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	600 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	2 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	6 A
Pd - Dissipazione di potenza:	60 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Serie:	FGD3N60UNDF
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Corrente continua di collettore Ic max:	3 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	10 uA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	260,370 mg