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onsemi NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs
onsemi NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs
09/17/2026
80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.
Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive
Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive
09/16/2026
Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.
Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325
Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325
09/09/2026
Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).
IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
IXYS IXSH110N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH110N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 18 mΩ e 112 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali
IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 13,5 mΩ e 147 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
Microchip Technology Moduli di potenza HV-D3 mSiC®
Microchip Technology Moduli di potenza HV-D3 mSiC®
09/01/2026
Semplifica e accelera l'adozione di trasformatori allo stato solido nei data center e in altre applicazioni di alimentazione ad alto voltaggio.
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
08/25/2026
Moduli MOSFET EliteSiC a ponte completo con resistenza di conduzione di 11 mΩ e tensione nominale di 1.200 V.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V
08/25/2026
Offrono un valore basso di RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e una bassa QG, oltre a capacità elettriche ridotte per minimizzare le perdite del driver.
STMicroelectronics Invertitore trifase STGI15C60S e IGBT SLLIMM
STMicroelectronics Invertitore trifase STGI15C60S e IGBT SLLIMM
08/19/2026
Questo dispositivo è ideale per gli azionamenti dei motori che operano fino a 20 kHz in circuiti a commutazione rigida.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08/12/2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
08/11/2026
Offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce.
STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG
STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG
08/10/2026
Progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il applicazioni per il settore automobilistico.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
08/10/2026
Progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e alta potenza.
onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)
onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)
07/30/2026
Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.
onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L
onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L
07/30/2026
Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.
ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V
ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V
07/21/2026
Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.
onsemi FET GaN GaNEXUS™
onsemi FET GaN GaNEXUS™
07/08/2026
Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata
Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V
Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V
06/19/2026
Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06/18/2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S
Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S
06/12/2026
Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.
Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V
05/27/2026
Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.
Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N
Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N
05/18/2026
Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.
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