STP80N1K1K6

STMicroelectronics
511-STP80N1K1K6
STP80N1K1K6

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
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STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
Tube
Marchio: STMicroelectronics
Tipo di prodotto: MOSFETs
Quantità colli di fabbrica: 1000
Sottocategoria: Transistors
Peso unità: 2 g
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Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza a canale N STP80N1K1K6

Il MOSFET di potenza a canale N STP80N1K1K6 di STMicroelectronics  utilizza la tecnologia MDmesh K6, sfruttando 20 anni di esperienza nella tecnologia a supergiunzione. Il MOSFET  STP80N1K1K6 di STMicroelectronics offre una resistenza all'accensione di altissimo livello per area e carica di gate. Il dispositivo è ideale per applicazioni ad alta densità di potenza ed efficienza.

MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

I MOSFET di potenza MDmesh K6 a canale N di STMicroelectronics sono protetti da Zener e sottoposti a test a valanga al 100%. Questi MOSFET di potenza presentano una tensione di rottura drain-source minima di 800 V, una tensione gate-source di ±30 V e un intervallo di temperatura di giunzione operativa compreso tra -55 °C e 150 °C. I MOSFET di potenza MDmesh K6 presentano inoltre una pendenza di tensione di recupero del diodo di picco di 5 V/ns, una pendenza di corrente di recupero del diodo di picco di 100 A/µs e una robustezza MOSFET dv/dt di 120 V/ns. Le applicazioni tipiche includono notebook e AIO, convertitori flyback, adattatori per tablet e illuminazione a LED.

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Stima Tariffa:

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