IXYS MOSFET SiC

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
IXYS MOSFET SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Scheda dati
100A magazzino
45002/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Scheda dati
78A magazzino
80002/06/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement

IXYS MOSFET SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Scheda dati
4.196A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

IXYS MOSFET SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
Scheda dati
548A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
Scheda dati
1.927A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
Scheda dati
2.090A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC TO247 1.2KV 50A N-CH SIC
Scheda dati
431A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 50 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 175 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Scheda dati
900A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO263-7L
Scheda dati
900A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO263-7L
Scheda dati
900A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Scheda dati
550A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO247-4L
Scheda dati
550A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Scheda dati
550A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Scheda dati
402A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 52 nC - 40 C + 150 C 75.3 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Scheda dati
478A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 45 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 142 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Scheda dati
483A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 22.5 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 154 nC - 40 C + 150 C 266 W Enhancement
IXYS IXFN27N120SK
IXYS MOSFET SiC SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
Scheda dati
14A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT HiPerFET
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO263
Scheda dati
76A magazzino
80016/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TOLL
Scheda dati
76A magazzino
2.00016/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TOLL
Scheda dati
80A magazzino
2.00016/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Scheda dati
100A magazzino
45023/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Scheda dati
795A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Scheda dati
760A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Scheda dati
408A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Scheda dati
392A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement