IXSA40N120L2-7TR

IXYS
747-IXSA40N120L2-7TR
IXSA40N120L2-7TR

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

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IXYS
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
SMD/SMT
TO-263-7L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
41 A
104 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
Marchio: IXYS
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 9.5 ns
Confezione: Reel
Confezione: Cut Tape
Prodotto: MOSFETs
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Tempo di salita: 14.4 ns
Serie: IXSA40N120L2-7
Quantità colli di fabbrica: 800
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Tipo: SiC MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico: 11.5 ns
Tipico ritardo di accensione: 5.6 ns
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting good power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET is recommended for use in high-speed industrial switch mode power supplies. The IXSA40N120L2-7 MOSFET features low conduction losses, low gate drive power requirements, and low thermal management effort and is optimized for gate control. This SiC MOSFET is ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating.