MOSFET Trench SiC G1 750 V per il settore automotive CoolSiC™

I MOSFET Trench SiC G1 750 V CoolSiC™ per il settore automotivo di Infineon Technologies aiutano i produttori di veicoli elettrici a creare caricatori di bordo bidirezionali da 11 kW e 22 kW con maggiore efficienza densità di potenza e affidabilità. Questi dispositivi funzionano in modo affidabile ad alte temperature (Tj,max +175°C), grazie alla tecnologia proprietaria di Infineon. Tecnologia di fissaggio dei die XT per la migliore impedenza termica della categoria a parità di dimensioni dei die.

Tipi di Transistor

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Tipo di prodotto Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 147A magazzino
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS 341A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS 141A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS 207A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS 226A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS 201A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS 288A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS Tempo di consegna, se non a magazzino 22 settimane
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel