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AIMZA75R008M1HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R008M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R008M1HXK
Price: 30.75 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-AIMZA75R008M1HXK

N. produttore:

AIMZA75R008M1HXKSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

AIMZA75R008M1HXKSA1 Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	30,75 €	30,75 €
	23,13 €	231,30 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	750 V
Id - corrente di drain continua:	163 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	10.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5.6 V
Qg - Carica del gate:	178 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	517 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	CoolSiC
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	AT
Tempo di caduta:	16 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	30 ns
Serie:	G1
Quantità colli di fabbrica:	240
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	50 ns
Tipico ritardo di accensione:	22 ns
Alias n. parte:	AIMZA75R008M1H -

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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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