Ultime novità per Transistor

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Tipi di Transistor

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STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11/07/2025

- Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK

10/28/2025

- Transistor PowerGaN E-Mode ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative.

STMicroelectronics Modulo di potenza automotive M2P45M12W2-1LA

09/26/2025

- Offre una topologia a sei pacchetti con NTC per lo stadio del convertitore CC/CC del caricatore a bordo dei veicoli elettrici.

STMicroelectronics Modulo di potenza automotive M2TP80M12W2-2LA

09/26/2025

- Dispone di una topologia trifase PFC 4-wire con NTC integrato per l'OBC in veicoli elettrici e ibridi.

STMicroelectronics IGBT serie IH2 1600V STGWA30IH160DF2

05/22/2025

- Creato implementando un'avanzata struttura proprietaria trench gate field-stop.

STMicroelectronics IGBT ACEPACK SMIT STGSH50M120D con diodo

12/24/2024

- Combina due IGBT e diodi in una topologia a mezzo ponte.

STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGHU30M65DF2AG

09/12/2024

- Sviluppato utilizzando un’avanzata struttura trench-gate field stop.

STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGWA30M65DF2AG

09/12/2024

- Progettato utilizzando una struttura trench-gate field stop proprietaria avanzata.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

07/22/2024

- 800 V, protetto da Zener, testato al 100% contro le valanghe e ideale per convertitori flyback e illuminazione a LED.

STMicroelectronics IGBT serie MS di grado automobilistico GWA40MS120DF4AG

07/03/2024

- 1.200 V, 40 A, bassa perdita, offre bassa resistenza termica ed è disponibile in un package con cavi lunghi TO-247.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

12/01/2023

- I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET F8 a canale N sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione di package completa da 30 V a 150 V.

STMicroelectronics IGBT STGD4H60DF ad alta velocità serie H 600 V 4 A

10/31/2023

- Progettato con un’avanzata struttura trench-gate field-stop.

STMicroelectronics Nodulo di potenza ACEPACK DMT M1F45M12W2-1LA

10/19/2023

- Progettati per lo stadio del convertitore CC/CC dei veicoli ibridi ed elettrici.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STP80N1K1K6

10/01/2023

- Utilizza la tecnologia MDmesh K6, sfruttando 20 anni di esperienza nella tecnologia a supergiunzione.

STMicroelectronics MOSFET di potenza SH63N65DM6AG

08/18/2023

- MOSFET di potenza con DM6 MDmesh a canale N di grado automobilistico che offre tensione di blocco di 650 V.

STMicroelectronics MOSFET STripFET a canale N da 100 V STL120N10F8

05/08/2023

- Il dispositivo utilizza la tecnologia STripFET F8 di ST con una struttura gate trench migliorata.

STMicroelectronics IGBT STGSH80HB65DAG serie 650 V 80 A HB

03/24/2023

- Presenta due IGBT e diodi in un package compatto e robusto a montaggio superficiale.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh K6

01/25/2023

- MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione con protezione Zener e valanga al 100%.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N da 800 V STP80N450K6

10/19/2022

- MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione progettati utilizzando la recente tecnologia MDmesh K6.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STL325N4LF8AG

06/24/2022

- Utilizza la tecnologia STripFET F8 e presenta una struttura trench gate migliorata.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STripFET F8 a canale N STL320N4LF8

06/21/2022

- Prodotto con la tecnologia trench MOSFET STripFET F8.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STP60N043DM9 MDmesh DM9

05/27/2022

- Per tensione media/alta con RDS(on) molto bassa per area accoppiato a un diodo a recupero rapido.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STP65N045M9 MDmesh M9

05/25/2022

- Progettati per MOSFET di media/alta tensione con RDS(on) molto bassa per area.

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Texas Instruments 2N7002L 6V N-channel MOSFETs

05/18/2026

- Designed to minimize the on-state resistance while maintaining fast switching performance.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.

ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità

04/10/2026

- I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

Vishay Modulo MOSFET di potenza VS-HOT200C080 200 A 80 V

04/02/2026

- Questo dispositivo riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 15% rispetto alle soluzioni discrete standard.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03/31/2026

- Ideale per commutazione ad alta velocità, interruttori per la gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver motore.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03/27/2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03/27/2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics Interruttore bidirezionale (BDS) TP65B110HRU

03/20/2026

- BDS in nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 110 mΩ normalmente disattivato in un compatto package TOLT.

Infineon Technologies Interruttori bidirezionali CoolGaN™ a media tensione

03/17/2026

- Questi dispositivi sono ideali come interruttori di disconnessione della batteria in varie applicazioni.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

03/17/2026

- Si tratta di MOSFET a canale N da 80 V o 100 V, a livello logico, con resistenza di conduzione molto bassa [RDS(ON)].

ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati

03/17/2026

- Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.

onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL

03/13/2026

- Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Qorvo HEMT GaN/SiC da 300W QPD2560L

03/09/2026

- Progettato per applicazioni esigenti in banda L, opera in un intervallo di frequenza compreso tra 1,0 GHz e 1,5 GHz.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V

03/05/2026

- Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

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