STMicroelectronics IGBT STGSH80HB65DAG serie 650 V 80 A HB
L'IGBT serie STGSH80HB65DAG 650 V 80 A HB di STMicroelectronics presenta due IGBT e diodi in un package compatto, robusto e a montaggio superficiale. L’IGBT STGSH80HB65DAG STMicroelectronics è ottimizzato per la commutazione graduale, riducendo al minimo le perdite di conduzione e commutazione. Ciascun interruttore include un diodo a rotazione libera a bassa caduta che lo rende ideale per applicazioni risonanti e di commutazione soft efficienti.
Caratteristiche
- Con qualifica AQG 324
- Serie di commutazione ad alta velocità
- TJ = temperatura di giunzione massima 175 °C
- Bassa VCE(sat) = 1,7 V (tip.) @ IC = 80 A
- Corrente del terminale minimizzata
- Distribuzione dei parametri ridotta
- Bassa resistenza termica grazie al substrato DBC
- Coefficiente di temperatura positivo VCE(sat)
- Diodo antiparallelo a recupero graduale e ad alta velocità
- Livello di Isolamento di 3,4 kVrms/min
Applicazioni
- Convertitore CC/CC per EV/HEV
- Caricatore su scheda (OVC)
Schema e descrizione pin
COMPLETA IL TUO PROGETTO
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Video
Pubblicato: 2023-10-24
| Aggiornato: 2024-01-21