ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità
I moduli di potenza al carburo di silicio (SiC) ad alta densità di ROHM Semiconductor sono progettati per supportare conversione di potenza ad alta efficienza in settore automobilistico e applicazioni industriali. La gamma include diverse piattaforme di package come TRCDRIVE pack™, HSDIP20 e DOT-247, ognuna ottimizzata per diverse classi di potenza e requisiti di sistema. Questi pacchetti integrano i MOSFET SiC in strutture modulari compatte che consentono alta densità di potenza, prestazioni di commutazione stabili e una gestione termica efficiente. A seconda del package sono disponibili configurazioni come 2-in-1, 4-in-1 e 6-in-1, garantendo flessibilità per una vasta gamma di conversione di potenza e applicazionidi unità di azionamento motore.
Molti moduli sic nel portfolio di rohm supportano tensioni operative fino a 1.200 V con alta capacità di corrente. I dispositivi sono utilizzati in applicazioni, tra cui inverter, convertitori, caricatori di bordo e circuiti di correzione del fattore di potenza (PFC). Le strutture e i substrati dei moduli avanzati sono progettati per promuovere un'efficace dissipazione del calore e un funzionamento affidabile in ambienti ad alta potenza. Questi moduli possono essere utilizzati per implementare architetture di convertitori di potenza comuni, mentre topologie multilivello come NPC a 3 livelli, T-NPC a 3 livelli e ANPC a 5 livelli possono essere realizzate a livello di progettazione di sistema.
Combinando l'avanzata tecnologia SiC con pacchetti di moduli ottimizzati, i moduli di potenza SiC ad alta densità di ROHM contribuiscono a ridurre lo spazio sulla scheda e a semplificare la configurazione dei sistemi. Queste soluzioni supportano una vasta gamma di applicazioni nel settore automobilistico e industriale, dove efficienza, affidabilità e una progettazione compatta sono di vitale importanza.
Caratteristiche
- Piattaforma di modulo di potenza SiC da 1.200 V
- Alta capacità di corrente per sistemi di alimentazione esigenti
- Disponibile in package DOT-247 e HSDIP20
- Progetti di moduli compatti ad alta densità
- Configurazioni 2-in-1, 4-in-1 e 6-in-1
- Supporta topologie PFC, LLC, inverter e unità di azionamento motore
- Prestazioni termiche ottimizzate per il funzionamento ad alta potenza
- Consente di ridurre lo spazio della scheda e semplifica la progettazione del sistema
- Adatto per settore automobilistico e industriale
Applicazioni
- Caricatori di bordo automobilistici (OBC)
- Inverter per veicoli elettrici e ibridi (EV e HEV)
- Sistemi di conversione di potenza automobilistici
- Stazioni di carica per veicoli elettrici e sistemi V2X
- Azionamenti motori e servomotori CA
- Circuiti PFC
- Convertitori risonanti LLC
- Inverter fotovoltaici e condizionatori di potenza
- Gruppo statico di continuità (UPS)
- Relè a semiconduttore
Moduli in primo piano
ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati
Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.
| Codice prodotto | Scheda dati | Vds - Tensione di rottura drain-source | Pd - Dissipazione di potenza | Id - corrente di drain continua | Numero di canali | Tempo di salita | Tempo di caduta | Ritardo di spegnimento tipico | Tipico ritardo di accensione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BST70B2P4K01-VC |  |
1.2 kV | 385 W | 70 A | 4 Channel | 36 ns | 15 ns | 153 ns | 36 ns |
| SCZ4011KTAC23 | |
1.2 kV | 361 W | 106 A | 2 Channel | 19 ns | 16 ns | 133 ns | 24 ns |
| BST400D12P4A101 | |
1.2 kV | 1.667 kW | 394 A | 2 Channel | 102 ns | 42 ns | 198 ns | 119 ns |
| BST47T1P4K01-VC | |
750 V | 227 W | 47 A | 6 Channel | 23 ns | 15 ns | 103 ns | 24 ns |
| BST91B1P4K01-VC | |
750 V | 385 W | 90 A | 4 Channel | 39.3 ns | 14.2 ns | 213.2 ns | 49.3 ns |
| BST91T1P4K01-VC | |
750 V | 385 W | 90 A | 6 Channel | 39.3 ns | 14.2 ns | 213.2 ns | 49.3 ns |