STL160N10F8

STMicroelectronics
511-STL160N10F8
STL160N10F8

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
100 V
158 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
90 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
Marchio: STMicroelectronics
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 19 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 17 ns
Serie: STripFET F8
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 60 ns
Tipico ritardo di accensione: 22 ns
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione completa di package da 30 V a 150 V per soddisfare tutti i requisiti delle soluzioni ad altissima densità di potenza. Questi MOSFET a bassa tensione sono dotati della tecnologia STPOWER STripFET F8. La tecnologia STripFET F8 consente di risparmiare energia e garantisce un basso rumore nella conversione di potenza, nel controllo del motore e nei circuiti di distribuzione dell'energia, riducendo sia la resistenza di on che le perdite di commutazione, ottimizzando al contempo le proprietà del diodo di corpo. I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics semplificano la progettazione dei sistemi e aumentano l'efficienza in applicazioni quali automotive, computer/periferiche, data center, telecomunicazioni, energia solare, alimentatori/convertitori, caricabatterie, elettrodomestici/apparecchiature professionali, gaming, droni e altro ancora.