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STH4N150-2AG

Name: STMicroelectronics STH4N150-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH4N150-2AG
Price: 4.94 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STH4N150-2AG

N. produttore:

STH4N150-2AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	H2PAK-2
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.5 kV
Id - corrente di drain continua:	2.6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	10 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5 V
Qg - Carica del gate:	35.1 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	208 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	72 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	38 ns
Tipico ritardo di accensione:	16 ns
Peso unità:	1,471 g

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Scheda dati

STH4N150-2AG Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG

STMicroelectronics STH4N150-2AG N-Channel MOSFET di potenza è progettato per fornire alta tensione e robustezza per il mercato settore automobilistico. Questo MOSFET è realizzato con la tecnologia PowerMESH™; il dispositivo combina una tensione nominale tra gate e sorgente molto elevata di 1500 V con una carica di gate ridotta e una robusta capacità di valanga. Il MOSFET STH4N150-2AG è di grado automotive, qualificato AEC-Q101 e disponibile nel package H²PAK-2. Questo dispositivo è indicato per applicazioni di commutazione, ausiliarie e automobilistiche ad alta tensione.

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MouseReel™ (+5,00 €)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,94 €	4,94 €
	2,60 €	26,00 €
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	2,60 €	2.600,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

STH4N150-2AG

Produttore: STMicroelectronics

Descrizione: MOSFET Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package Completa il tuo progetto

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