MOSFET ad alta tensione SuperMESH™

I MOSFET di potenza STMicroelectronics a protezione Zener SuperMESH™ rappresentano l'estrema ottimizzazione della disposizione a striscia standard PowerMESH™. I MOSFET STMicroelectronics SuperMESH abbassano notevolmente la resistenza in conduzione, assicurando al contempo un'ottima capacità dv/dt per le applicazioni più esigenti. I dispositivi SuperMESH hanno minima carica al gate e sono testati al 100% con il metodo avalanche. Offrono inoltre migliore protezione ESD e una nuova soglia per l'alta tensione. Questi MOSFET STMicroelectronics sono progettati per l'uso nelle applicazioni di switch.
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Risultati: 141
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale
Confezione
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
Scheda dati
264A magazzino
1.00012/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 121 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
Scheda dati
1.219A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
Scheda dati
700A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
Scheda dati
595A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
Scheda dati
333A magazzino
1.00009/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 370 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
Scheda dati
930A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 4.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
Scheda dati
913A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Scheda dati
480A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Scheda dati
766A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
Scheda dati
1.602A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
Scheda dati
448A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
Scheda dati
366A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Scheda dati
248A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le
Scheda dati
60A magazzino
60009/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected
Scheda dati
410A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
Scheda dati
91116/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 620 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
Scheda dati
15A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
Scheda dati
717A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Scheda dati
1A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 630 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Scheda dati
397A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 2.63 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
Scheda dati
181A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
Scheda dati
461A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 3.5 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Scheda dati
474A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
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132A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel