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STP3N80K5

Name: STMicroelectronics STP3N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP3N80K5
Price: 1.8 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STP3N80K5

N. produttore:

STP3N80K5

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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Scheda dati:

STP3N80K5 Scheda dati (PDF)

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	0,566 €	566,00 €
	0,523 €	1.046,00 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	2.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.8 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	9.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	60 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	25 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	7.5 ns
Serie:	STP3N80K5
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	20.5 ns
Tipico ritardo di accensione:	8.5 ns
Peso unità:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET ad alta tensione SuperMESH™

I MOSFET di potenza STMicroelectronics a protezione Zener SuperMESH™ rappresentano l'estrema ottimizzazione della disposizione a striscia standard PowerMESH™. I MOSFET STMicroelectronics SuperMESH abbassano notevolmente la resistenza in conduzione, assicurando al contempo un'ottima capacità dv/dt per le applicazioni più esigenti. I dispositivi SuperMESH hanno minima carica al gate e sono testati al 100% con il metodo avalanche. Offrono inoltre migliore protezione ESD e una nuova soglia per l'alta tensione. Questi MOSFET STMicroelectronics sono progettati per l'uso nelle applicazioni di switch.
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