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STU2N95K5

Name: STMicroelectronics STU2N95K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU2N95K5
Price: 1.72 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STU2N95K5

N. produttore:

STU2N95K5

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

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Scheda dati:

STU2N95K5 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,72 €	1,72 €
	0,877 €	8,77 €
	0,71 €	71,00 €
	0,589 €	294,50 €
	0,523 €	523,00 €
	0,432 €	1.296,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-251-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	950 V
Id - corrente di drain continua:	2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	5 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	10 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	45 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	SuperMESH
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	32.5 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	13.5 ns
Serie:	STU2N95K5
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	20.5 ns
Tipico ritardo di accensione:	8.5 ns
Peso unità:	340 mg

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Scheda dati

STU2N95K5 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET ad alta tensione SuperMESH™

I MOSFET di potenza STMicroelectronics a protezione Zener SuperMESH™ rappresentano l'estrema ottimizzazione della disposizione a striscia standard PowerMESH™. I MOSFET STMicroelectronics SuperMESH abbassano notevolmente la resistenza in conduzione, assicurando al contempo un'ottima capacità dv/dt per le applicazioni più esigenti. I dispositivi SuperMESH hanno minima carica al gate e sono testati al 100% con il metodo avalanche. Offrono inoltre migliore protezione ESD e una nuova soglia per l'alta tensione. Questi MOSFET STMicroelectronics sono progettati per l'uso nelle applicazioni di switch.
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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.