Moduli di potenza MOSFET SiC con gamba di fase AgileSwitch®

I moduli di potenza MOSFET SiC (carburo di silicio) con gamba di fase AgileSure® di Microsemi / Microchip sono realizzati con MOSFET SiC e diodi SiC e combinano i vantaggi di entrambi i dispositivi. Questi moduli di potenza presentano un package SP6LI a induttanza estremamente bassa con un’induttanza parassita massima di 3 nH. Questi moduli di potenza SP6LI sono offerti nelle varianti 1.200 V e 1.700 V con una temperatura dell’involucro (TC) di +80 °C. Offrendo una maggiore densità di potenza e un fattore di forma compatto, il package SP6LI consente una minore quantità di moduli in parallelo per ottenere sistemi completi, aiutando i progettisti a ridurre ulteriormente le dimensioni delle loro apparecchiature.

Risultati: 8
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Tipo
Tecnologia
Vf - Tensione diretta
Vr - Tensione inversa
Vgs - Tensione gate-source
Stile di montaggio
Package/involucro
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Microchip Technology Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Scheda dati
3A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C
Microchip Technology Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Scheda dati
1A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Scheda dati
9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.8 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 175 C
Microchip Technology Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Scheda dati
1A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
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Tempo di consegna 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
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Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C