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MSCSM120HM063CAG

Name: Microchip MSCSM120HM063CAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSCSM120HM063CAG
Price: 687.08 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

579-MSCSM120HM063CAG

N. produttore:

MSCSM120HM063CAG

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Scheda dati:

MSCSM120HM063CAG Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	Moduli a semiconduttori discreti
RoHS::
Prodotto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	Full Bridge
Tecnologia:	SiC
Vf - Tensione diretta:	1.5 V
Vr - Tensione inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 25 V
Stile di montaggio:	Screw Mount
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Marchio:	Microchip Technology
Tipo di prodotto:	Discrete Semiconductor Modules
Quantità colli di fabbrica:	1
Sottocategoria:	Discrete Semiconductor Modules

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Moduli di potenza MOSFET SiC con gamba di fase AgileSwitch®

I moduli di potenza MOSFET SiC (carburo di silicio) con gamba di fase AgileSure® di Microsemi / Microchip sono realizzati con MOSFET SiC e diodi SiC e combinano i vantaggi di entrambi i dispositivi. Questi moduli di potenza presentano un package SP6LI a induttanza estremamente bassa con un’induttanza parassita massima di 3 nH. Questi moduli di potenza SP6LI sono offerti nelle varianti 1.200 V e 1.700 V con una temperatura dell’involucro (T_C) di +80 °C. Offrendo una maggiore densità di potenza e un fattore di forma compatto, il package SP6LI consente una minore quantità di moduli in parallelo per ottenere sistemi completi, aiutando i progettisti a ridurre ulteriormente le dimensioni delle loro apparecchiature.