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STP65N045M9

Name: STMicroelectronics STP65N045M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP65N045M9
Price: 6.94 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STP65N045M9

N. produttore:

STP65N045M9

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Scheda dati:

STP65N045M9 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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	3,86 €	38,60 €
	3,55 €	355,00 €
	3,19 €	1.595,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	55 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	45 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.2 V
Qg - Carica del gate:	80 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	245 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	MDmesh M9
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STP65N045M9 MDmesh M9

Il MOSFET di potenza STP65N045M9 MDmesh M9 di STMicroelectronics è progettato per MOSFET di media/alta tensione con R_DS(on) molto bassa per area. Il dispositivo implementa l'innovativa tecnologia super-junction MDmesh M9 che offre un processo di produzione multi-drain che consente una struttura del dispositivo migliorata.

MOSFET di potenza MDmesh™ M9

I MOSFET di potenza MDmesh™ M9 di STMicroelectronics sono caratterizzati da una struttura migliorata, bassa resistenza ON e bassi valori di carica di gate. Questi MOSFET di potenza offrono un'elevata robustezza del diodo inverso dv/dt e del MOSFET dv/dt, un'elevata densità di potenza e basse perdite di conduzione. I MOSFET di potenza MDmesh M9 offrono anche alta velocità di commutazione, alta efficienza e basse perdite di potenza di commutazione. Questi MOSFET di potenza sono progettati con un'innovativa tecnologia di super-giunzione ad alta tensione che fornisce una cifra di merito (FoM) eccezionale. L'alto FoM consente livelli di potenza e densità più elevati per soluzioni più compatte. Le applicazioni tipiche includono server, data center di telecomunicazione, stazioni di alimentazione 5G, microinverter e caricabatterie rapidi.