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IAUTN15S6N025ATMA1

Name: Infineon IAUTN15S6N025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUTN15S6N025ATM
Price: 6.96 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IAUTN15S6N025ATM

N. produttore:

IAUTN15S6N025ATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

IAUTN15S6N025ATMA1 Scheda dati (PDF)

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-,-- €

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,96 €	6,96 €
	5,39 €	53,90 €
	4,57 €	457,00 €
	4,24 €	2.120,00 €
	4,14 €	4.140,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	3,90 €	7.800,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PG-HSOF-8-1
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	245 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	107 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	357 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	OptiMOS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	51 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	54 ns
Serie:	OptiMOS 6
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	41 ns
Tipico ritardo di accensione:	26 ns
Alias n. parte:	IAUTN15S6N025 SP005970430

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Scheda dati

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Models

IAUTN15S6N025ATMA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET automotive OptiMOS™ 6 150 V

I MOSFET OptiMOS™ 6 da 150 V per il settore automobilistico di Infineon Technologies offrono un design robusto con test elettrici avanzati. I MOSFET a canale N sono qualificati AEC-Q101 per applicazioni per il settore automobilistico e forniscono una corrente di drain continua di 175 A o 245 A.