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STF10LN80K5

Name: STMicroelectronics STF10LN80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF10LN80K5
Price: 3.36 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STF10LN80K5

N. produttore:

STF10LN80K5

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Scheda dati:

STF10LN80K5 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,36 €	3,36 €
	1,74 €	17,40 €
	1,61 €	161,00 €
	1,32 €	660,00 €
	1,17 €	1.170,00 €
	1,10 €	2.200,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	8 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	630 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	15 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	25 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	13 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	10 ns
Serie:	STF10LN80K5
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	28 ns
Tipico ritardo di accensione:	11.8 ns
Peso unità:	2 g

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Scheda dati

STF10LN80K5 Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-02 (PDF)

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET ad alta tensione SuperMESH™

I MOSFET di potenza STMicroelectronics a protezione Zener SuperMESH™ rappresentano l'estrema ottimizzazione della disposizione a striscia standard PowerMESH™. I MOSFET STMicroelectronics SuperMESH abbassano notevolmente la resistenza in conduzione, assicurando al contempo un'ottima capacità dv/dt per le applicazioni più esigenti. I dispositivi SuperMESH hanno minima carica al gate e sono testati al 100% con il metodo avalanche. Offrono inoltre migliore protezione ESD e una nuova soglia per l'alta tensione. Questi MOSFET STMicroelectronics sono progettati per l'uso nelle applicazioni di switch.
Maggiori informazioni

STF10LN80K5 MDmesh™ Power MOSFET

STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™ Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology. This technology is based on an innovative proprietary vertical structure that reduces on-resistance and ultra-low gate charge for various applications. This STF10LN80K5 Power MOSFET has a built-in Zener diode that enhances the Electrostatic Discharge (ESD) performance of the device. The Zener voltage of the device eliminates the need for additional external componentry by facilitating cost-effective device integrity protection. The STF10LN80K5 Power MOSFET is ideal for switching applications.