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STP60N043DM9

Name: STMicroelectronics STP60N043DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP60N043DM9
Price: 9.19 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STP60N043DM9

N. produttore:

STP60N043DM9

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Scheda dati:

STP60N043DM9 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	9,19 €	9,19 €
	5,19 €	51,90 €
	4,79 €	479,00 €
	4,54 €	2.270,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	56 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	43 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	78.6 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	245 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	MDmesh DM9
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza MDmesh™ M9

I MOSFET di potenza MDmesh™ M9 di STMicroelectronics sono caratterizzati da una struttura migliorata, bassa resistenza ON e bassi valori di carica di gate. Questi MOSFET di potenza offrono un'elevata robustezza del diodo inverso dv/dt e del MOSFET dv/dt, un'elevata densità di potenza e basse perdite di conduzione. I MOSFET di potenza MDmesh M9 offrono anche alta velocità di commutazione, alta efficienza e basse perdite di potenza di commutazione. Questi MOSFET di potenza sono progettati con un'innovativa tecnologia di super-giunzione ad alta tensione che fornisce una cifra di merito (FoM) eccezionale. L'alto FoM consente livelli di potenza e densità più elevati per soluzioni più compatte. Le applicazioni tipiche includono server, data center di telecomunicazione, stazioni di alimentazione 5G, microinverter e caricabatterie rapidi.

MOSFET di potenza STP60N043DM9 MDmesh DM9

Il MOSFET di potenza STP60N043DM9 MDmesh DM9 di STMicroelectronics è progettato per MOSFET di media/alta tensione con R_DS(on)molto bassa per area accoppiato a un diodo a recupero rapido. Il dispositivo implementa l'innovativa tecnologia super-junction MDmesh DM9 che offre un processo di produzione multi-drain che consente una struttura del dispositivo potenziata.