Toshiba MOSFET di potenza DTMOSVI TK110N65Z
Il MOSFET di potenza DTMOSVI TK110N65Z di Toshiba presenta una bassa resistenza in conduzione drain-source di RDS(ON) = 0,092 Ω (tip.). Il MOSFET ha proprietà di commutazione ad alta velocità con minore capacità e una modalità di arricchimento di Vth = da 3 a 4 V (VDS = 10 V, id = 1,02 mA). Sono ideali per applicazioni di alimentazione a commutazione.
Caratteristiche
- Bassa resistenza in conduzione drain-source: RDS(ON) = 0,092 Ω (tip.)
- Proprietà di commutazione ad alta velocità con la minore capacità
- Modalità di arricchimento: Vth = da 3 a 4 V (VDS = 10 V, ID = 1,02 mA)
- Applicazioni, alimentatori a commutazione
Circuito interno e di imballaggio
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Pubblicato: 2020-12-10
| Aggiornato: 2024-11-26