DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

Risultati: 16
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
Scheda dati
1.058A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 230W 1MHz 8x8DFN
Scheda dati
7.399A magazzino
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Min: 1
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Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ
Scheda dati
351A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
Scheda dati
2.000A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
Scheda dati
3.792A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V
Scheda dati
1.087A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
Scheda dati
1.232A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
Scheda dati
432A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 270W 1MHz TO-247
Scheda dati
59A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Scheda dati
353A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET 230W 1MHz TO-247
Scheda dati
2A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm
Scheda dati
30A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ
Scheda dati
20A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9.5 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T)
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 25

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel