Toshiba MOSFET a canale N in silicio (DTMOSVI) TK095N65Z5
Il MOSFET a canale N in silicio (DTMOSVI) TK095N65Z5 Toshiba è un MOSFET ad alta velocità 650 V, 95 mΩ in un package TO-247. Progettato per l’uso in applicazioni con regolatori di tensione a commutazione, il TK095N65Z5 offre un tempo di recupero rapido (115 ns tipico) e una bassa resistenza in conduzione drain-source (0,079Ω tipica). Questo MOSFET fornisce proprietà di commutazione ad alta velocità con bassa capacità.
Caratteristiche
- Tempo di recupero inverso tipico 115 ns
- Bassa resistenza in conduzione drain-source tipica di 0,079 Ω [RDS(ON)]
- Proprietà di commutazione ad alta velocità con minore capacità
- Ad arricchimento: Vth = da 3,5 V a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,27 mA)
- Generazione DTMOSⅥ
Specifiche
- Tensione drain-source massima 650 V
- Tensione gate-source massima ±30 V
- Corrente di drain
- CC massima 29 A
- A impulsi massimi 116 A
- Dissipazione di potenza massima 230 W
- Valanga a impulso singolo
- Energia massima 342 mJ
- Corrente massima 5,8 A
- Corrente di drain inversa
- CC massima 29 A
- A impulsi massimi 116 A
- Tensione massima di soglia del gate 4,5 V
- Capacità di ingresso tipica 2.880 pF
- Carica del gate totale tipica di 50 nC
- Resistenza di gate tipica 3 Ω
- Temperatura canale massima +150 °C
- Resistenza termica
- Canale-involucro 0,543 °C/W
- 50 °C/W canale-ambiente
- Coppia di montaggio massima 0,8 Nm
- Package 15,94 mm x 20,95 mm x TO-247 5,02 mm
Package e circuito interno
MOSFET correlati
Toshiba DTMOSVI MOSFETs
650V power MOSFET featuring a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical).
Pubblicato: 2024-03-12
| Aggiornato: 2024-04-10