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Toshiba MOSFET Superjunction DTMOS-VI 650 V

I MOSFET Superjunction DTMOS-VI da  650 V Toshiba sono progettati per funzionare in alimentatori a commutazione. Questi MOSFET a canale N presentano proprietà di commutazione ad alta velocità con minore capacità. I  MOSFET in silicio Superjunction DTMOS-VI da 650 V offrono bassa resistenza in conduzione drain-source tipica da 0,092Ω a 0,175Ω. Questi dispositivi presentano una tensione drain-source di 10 V.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione drain-source
  • Proprietà di commutazione ad alta velocità con minore capacità
  • Modalità di arricchimento: Vth = da 3 V a 4 V (VDS = 10 V)

Specifiche

  • Corrente di dispersione del gate massima di ±1 µA
  • Le capacità di ingresso (CISS) sono 2.250 pF, 1.635 pF e 1.370 pF
  • Tensione di soglia di gate massima da 3 V a 4 V 

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Codice prodotto Scheda dati Descrizione Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Qg - Carica del gate Pd - Dissipazione di potenza
TK125V65Z,LQ TK125V65Z,LQ Scheda dati MOSFET MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI 24 A 125 mOhms 40 nC 190 W
TK170V65Z,LQ TK170V65Z,LQ Scheda dati MOSFET MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI 18 A 170 mOhms 29 nC 150 W
TK110N65Z,S1F TK110N65Z,S1F Scheda dati MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI 24 A 110 mOhms 40 nC 190 W
TK155A65Z,S4X TK155A65Z,S4X Scheda dati MOSFET MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI 18 A 155 mOhms 23 nC 40 W
TK190A65Z,S4X TK190A65Z,S4X Scheda dati MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI 15 A 190 mOhms 25 nC 40 W
TK110A65Z,S4X TK110A65Z,S4X Scheda dati MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI 24 A 110 mOhms 40 nC 45 W
TK210V65Z,LQ TK210V65Z,LQ Scheda dati MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI 15 A 210 mOhms 25 nC 130 W
Pubblicato: 2020-11-23 | Aggiornato: 2024-11-26