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Texas Instruments Driver di gate singolo isolato UCC21756-Q1

Il driver di gate a canale singolo isolato UCC21756-Q1 di Texas Instruments è progettato per MOSFET e IGBTs SiC con tensione di funzionamento fino a CC di 2.121 V con funzionalità di protezione avanzate, prestazioni dinamiche e robustezza ai vertici della categoria. L'UCC21756-Q1 ha una corrente di sorgente e sink di picco fino a ±10 A. Il lato di ingresso è isolato dal lato di uscita con tecnologia di isolamento capacitivo SiO2 che supporta fino a 1,5 kVRMS di tensione di funzionamento e immunità alla sovratensione di 12,8 kVPK con una durata della barriera di isolamento superiore a 40 anni, oltre a fornire basso sfasamento parte-parte e immunità al rumore di modo comune (CMTI) >150 V/ns..

UCC21756-Q1 di Texas Instruments include funzioni di protezione all'avanguardia, come sovracorrente rapida e rilevamento dei cortocircuiti, segnalazione dei guasti e morsetto Miller attivo. Include anche l'alimentazione lato di ingresso e uscita UVLO per ottimizzare il comportamento di commutazione SiC e IGBT e la robustezza. Il sensore analogico/PWM isolato può essere utilizzato per un rilevamento di temperatura o tensione più semplice, aumentando ulteriormente la versatilità dei driver e semplificando la progettazione, le dimensioni e i costi del sistema.

Caratteristiche

  • Gate driver isolato a canale singolo da 5,7 kVRMS
  • Qualificato AEC-Q100 con i seguenti risultati
    • Intervallo delle temperature di funzionamento ambiente da -40 °C a +150 °C (grado di temperatura del dispositivo 0)
    • Livello di classificazione ESD HBM del dispositivo 3A
    • Classificazione ESD CDM di livello C6
  • Dispositivo di tipo Functional Safety Quality-Managed
    • Documentazione disponibile per facilitare la progettazione del sistema di sicurezza funzionale
  • MOSFET SiC e IGBT fino a 2121 Vpk
  • Tensione di uscita massima: 33 V (VDD-VEE)
  • Forza di azionamento e uscita separata ±10 A
  • CMTI minimo 150 V/ns
  • Protezione DESAT rapida con tempo di risposta di 200 ns con soglia di 5 V
  • Morsetto Miller attivo esterno da 4 A
  • Spegnimento progressivo 900 mA quando si verifica un guasto
  • Sensore analogico isolato con uscita PWM per
    • Rilevamento di temperatura con NTC, PTC o diodo termico
    • DC-Link ad alta tensione o tensione di fase
  • Allarme FLT su sovracorrente e reset da RST/EN
  • Attivazione/disattivazione rapida della risposta su RST/EN
  • Rifiuta il rumore transitorio e il pulse di ingresso inferiore a 40 ns sui pin di ingresso
  • UVLO 12 V VDD con alimentazione efficiente su RDY
  • Ingressi/uscite con immunità alla tensione transitoria over/under-shoot fino a 5 V
  • Ritardo di propagazione di 130 ns (massimo) e sfasamento di impulsi/parte di 30 ns (massimo)
  • Package DW SOIC-16 con distanza di passo e distanza > 8 mm.
  • Temperatura di giunzione di funzionamento da -40°C a 150 °C

Applicazioni

  • Inverter di trazione per veicoli elettrici
  • Caricatori di bordo e pile di carica
  • Convertitori CC/CC per veicoli ibridi ed elettrici

Diagramma a blocchi funzionale

Schema a blocchi - Texas Instruments Driver di gate singolo isolato UCC21756-Q1

Risorse aggiuntive

Strumento di sviluppo

Texas Instruments UCC21750QDWEVM-025 Evaluation Board

A compact, single channel, isolated gate driver board for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules.

Learn MoreInformazioni su Texas Instruments UCC21750QDWEVM-025 Evaluation Board View ProductsCorrelato a Texas Instruments UCC21750QDWEVM-025 Evaluation Board
Pubblicato: 2023-05-05 | Aggiornato: 2025-03-06