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UCC21756QDWRQ1

Name: Texas Instruments UCC21756QDWRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC21756QDWRQ1
Price: 6.6 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-UCC21756QDWRQ1

N. produttore:

UCC21756QDWRQ1

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

Gate driver isolati galvanicamente Automotive ± 10-A  isolated

Scheda dati:

UCC21756QDWRQ1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	6,60 €	6,60 €
	5,10 €	51,00 €
	4,73 €	118,25 €
	4,32 €	432,00 €
	4,12 €	1.030,00 €
	4,01 €	2.005,00 €
	3,90 €	3.900,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	3,82 €	7.640,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	Gate driver isolati galvanicamente
RoHS::
Serie:	UCC21756
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-16
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica:	2000
Tensione di alimentazione - Max.:	5.5 V
Tensione di alimentazione - Min.:	3 V
Tecnologia:	SiC
Tipo:	Single Channel Gate Driver

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Driver di gate singolo isolato UCC21756-Q1

Il driver di gate a canale singolo isolato UCC21756-Q1 di Texas Instruments è progettato per MOSFET e IGBTs SiC con tensione di funzionamento fino a CC di 2.121 V con funzionalità di protezione avanzate, prestazioni dinamiche e robustezza ai vertici della categoria. L'UCC21756-Q1 ha una corrente di sorgente e sink di picco fino a ±10 A. Il lato di ingresso è isolato dal lato di uscita con tecnologia di isolamento capacitivo SiO₂ che supporta fino a 1,5 kV_RMS di tensione di funzionamento e immunità alla sovratensione di 12,8 kV_PK con una durata della barriera di isolamento superiore a 40 anni, oltre a fornire basso sfasamento parte-parte e immunità al rumore di modo comune (CMTI) >150 V/ns..