Texas Instruments Stadio di potenza GaN 650 V 170 mΩ MG3624

Lo stadio di potenza LMG3624 650 V 170mΩ GaN della Texas Instruments è destinato ad applicazioni di alimentazione a commutazione. I circuiti LMG3624 semplificano la progettazione e riducono il numero dei componenti integrando i GaN FET e gate driver in un package QFN 8 mm tramite 5,3 mm. Le velocità di variazione dell'accensione programmabile forniscono il controllo EMI e la suoneria. Rispetto ai tradizionali resistori di rilevamento della corrente, l'emulazione del rilevamento della corrente riduce la dissipazione di potenza e consente di collegare il pad termico laterale al ground di alimentazione del PCB di raffreddamento. Questi gate driver sono ideali per adattatori e caricabatterie CA/CC, caricabatterie da muro per dispositivi mobili, prese di corrente USB da muro, alimentatori ausiliari, alimentatori SMPS per televisori e alimentatori LED.

L'unità LMG3624 di Texas Instruments supporta il funzionamento in modalità burst con basse correnti di riposo e supporta i requisiti di efficienza a basso carico per convertitori, con tempi di avvio rapidi. Le caratteristiche di protezione includono il blocco per sottotensione (UVLO), il limite di corrente ciclo per ciclo e la protezione da sovrappressione. La protezione da sovratemperatura viene segnalata con il pin FLT open drain.

Caratteristiche

FET di potenza GaN da 650 V e 170 mΩ
Gate driver integrato con bassi ritardi di propagazione e controllo regolabile della velocità di risposta in accensione
Emulazione di rilevamento corrente con elevata larghezza di banda e alta precisione
Protezione da sovracorrente ciclo per ciclo

Protezione da sovratemperatura con segnalazione mediante pin FLT
Corrente di riposo AUX pari a 240 µA
Corrente di riposo in standby AUX pari a 50 µA
Tensione massima di alimentazione e tensione del pin logico di ingresso pari a 26 V
Package QFN da 8 mm x 5,3 mm con pad termico