LMG3626ZREQR

Texas Instruments
595-LMG3626ZREQR
LMG3626ZREQR

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta 650V 270mohm GaN FET with integrated dri

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Texas Instruments
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
SMD/SMT
VQFN-38
1 Driver
1 Output
10 V
26 V
35 ns
24 ns
- 40 C
+ 125 C
Marchio: Texas Instruments
Kit di sviluppo: LMG3626EVM-074
Tensione di ingresso - Max: 26 V
Tensione di ingresso - Min.: 10 V
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 270 mOhms
Spegnimento: Noshutdown
Quantità colli di fabbrica: 2000
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: GaN
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USHTS:
8542390070
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

FET GaN LMG3626 700 V 220 mΩ

Il FET GaN LMG3626 700 V 220 mΩ di Texas Instruments è progettato per l'uso in applicazioni con alimentatore a modalità di commutazione (SMPS). Questo IC supporta i requisiti di efficienza del convertitore a carico leggero e il funzionamento in modalità burst con basse correnti di riposo e tempi di avvio rapidi. Le caratteristiche di LMG3626 includono un driver del gate, protezione e rilevamento della corrente. Le funzionalità di protezione di questo FET GaN includono il blocco per tensione inferiore alla soglia (UVLO), il limite di corrente ciclo per ciclo e la protezione da sovratemperatura. Il FET GaN LMG3626 supporta le alte tensioni riscontrate nelle applicazioni di commutazione di potenza offline. Il FET GaN è disponibile in un package QFN di 8 mm x 5,3 mm con un pad termico. LMG3626 è ideale Ideale per adattatori CA/CC e caricabatterie, progettazione di caricabatterie da muro per dispositivi mobili, prese di alimentazione USB da parete, alimentatori ausiliari, alimentatori SMPS per TV e alimentatori LED.